Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
rdfs:seeAlso
| |
Description
| - When very slow electrons below 20 to 30 eV impact the solid surface, their reflection is inversely proportional to the local density of states, coupled to the incident wave, so that the energy band structure in the impact point can be studied. This phenomenon, verified by the low energy electron diffraction experiments, will be employed in its microscopic version at high resolution and applied to investigation of structures with locally variable electronic properties. Efficient control of the landing energy of electrons in the scanning electron microscope and preservation of a high resolution down to lowest energies will be provided by the beam deceleration closely above the surface within the cathode lens. Basic experiments will demonstrate the contrast mechanism and the imaging method will be applied to visualisation of the dopant distribution density in semiconductors at energies of their impurity levels, when the reflection drops proportionally to the number of impurity atoms. (en)
- Při dopadu velmi pomalých elektronů o energii pod 20 - 30 eV na povrch pevné látky je míra jejich odrazu nepřímo úměrná lokální hustotě elektronových stavů, navázaných na dopadající vlnu. Sledováním odrazu lze tedy studovat strukturu energiových pásů v místě dopadu. Tento jev, experimentálně ověřený v oblasti difrakce pomalých elektronů, bude zkoumán ve své mikroskopické verzi s vysokým rozlišením a využit při studiu struktur s místními rozdíly v elektronických vlastnostech. Řízení energie dopadu elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu a udržení vysokého rozlišení obrazu až do nejnižších energií umožní princip proměnné energie svazku s bržděním těsně nad povrchem v katodové čočce. Budou provedeny základní demonstrační experimenty a prokázána existence příslušného kontrastního mechanismu. Metoda pak bude aplikována na zobrazování hustoty rozložení dopantů v polovodiči při energii odpovídající příměsové hladině, kdy dochází ke snížení odrazu úměrně počtu příměsových atomů.
|
Title
| - Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons (en)
- Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení
|
skos:notation
| |
http://linked.open...avai/cep/aktivita
| |
http://linked.open...kovaStatniPodpora
| |
http://linked.open...ep/celkoveNaklady
| |
http://linked.open...datumDodatniDoRIV
| |
http://linked.open...i/cep/druhSouteze
| |
http://linked.open...ep/duvernostUdaju
| |
http://linked.open.../cep/fazeProjektu
| |
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor
| |
http://linked.open...hodnoceniProjektu
| |
http://linked.open...vai/cep/kategorie
| |
http://linked.open.../cep/klicovaSlova
| |
http://linked.open...ep/partnetrHlavni
| |
http://linked.open...inujicichPrijemcu
| |
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu
| |
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu
| |
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV
| |
http://linked.open...enychVysledkuVRIV
| |
http://linked.open...okUkonceniPodpory
| |
http://linked.open...okZahajeniPodpory
| |
http://linked.open...iciPoslednihoRoku
| |
http://linked.open...atUdajeProjZameru
| |
http://linked.open.../vavai/cep/soutez
| |
http://linked.open...usZobrazovaneFaze
| |
http://linked.open...ai/cep/typPojektu
| |
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor
| |
http://linked.open...jektu+dodavatelem
| - Results achieved when solving the project include: - method of acquiring in very low energy scanned electron micrographs the contrast of electronic structure of the sample has been experimentally demonstrated, both with doped areas in semiconductors and (en)
- Mezi výsledky dosažené při řešení projektu patří, že byla experimentálně demonstrována metoda získávání kontrastu elektronické struktury preparátu v rastrovaných mikroskopických obrazech velmi pomalými elektrony, a to jak na dopovaných oblastech v polovo (cs)
|
http://linked.open...tniCyklusProjektu
| |
is http://linked.open...vavai/riv/projekt
of | |
is http://linked.open...vavai/cep/projekt
of | |