About: The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	4) PEEM equipped with high-pass energy filter as a surface sensitive tool was used for characterization of electron-optical contrast between differently doped areas in silicon. The native-oxide covered samples of both p- and n-type with dopant concentrations of 1015 to 1019 cm-3 were observed. In full photoemission the contrast disappears when decreasing the dopant concentration, while in filtered images the inverted contrast is preserved for all dopant concentrations. The photothreshold difference between p- and n-type (indicated by the shift of the energy spectra) increases up to 0.2 eV at the highest concentrations. 4) PEEM equipped with high-pass energy filter as a surface sensitive tool was used for characterization of electron-optical contrast between differently doped areas in silicon. The native-oxide covered samples of both p- and n-type with dopant concentrations of 1015 to 1019 cm-3 were observed. In full photoemission the contrast disappears when decreasing the dopant concentration, while in filtered images the inverted contrast is preserved for all dopant concentrations. The photothreshold difference between p- and n-type (indicated by the shift of the energy spectra) increases up to 0.2 eV at the highest concentrations. (en) Fotoemisní elektronový mikroskop vybavený filtrem typu horní propusti představuje povrchově citlivý nástroj, který posloužil ke studiu elektronově optického kontrastu mezi různě dopovanými oblastmi v křemíku. Vzorky byly pokryty nativním oxidem, jednalo se o p-typ a n-typ s koncentrací dopantů od 1015 to 1019 cm-3. Z naměřených dat vyplývá, že v nefiltrované fotoemisi kontrast postupně vymizí s klesající koncentrací dopantů, avšak ve filtrované fotoemisi dochází k inverzi kontrastu, který zůstává zachován i pro nejnižší koncentraci dopantů. Rozdíl v prahu fotoemise mezi p- a n-typem udává posun mezi příslušnými energiovými spektry a dosahuje hodnoty až 0.2 eV pro nejvyšší koncetraci dopantů. (cs)
Title	The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon (en) Studium vlastností dopovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru (cs)
skos:prefLabel	The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon (en) Studium vlastností dopovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru (cs)
skos:notation	RIV/68081731:_____/06:00049011!RIV07-AV0-68081731
http://linked.open.../vavai/riv/strany	25;28
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P Z
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(GA202/04/0281), Z(AV0Z20650511)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2007
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Hovorka, Miloš Frank, Luděk
http://linked.open.../riv/druhVysledku	D - Článek ve sborníku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...titaPredkladatele	Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
http://linked.open...dnocenehoVysledku	477703
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/68081731:_____/06:00049011
http://linked.open...riv/jazykVysledku	eng - angličtina
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	silicon; photoemission; contrast (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	contrast silicon photoemission
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[783F39D55305]
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce	Skalský dvůr
http://linked.open...i/riv/mistoVydani	Brno
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje	Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	6 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons
http://linked.open...UplatneniVysledku	2006
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Hovorka, Miloš Frank, Luděk Schönhense, G. Elmers, H. Nepijko, S. Valdaitsev, D.
http://linked.open...vavai/riv/typAkce	WRD - Světová
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce	2006-05-22 (xsd:date)
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer	Research into experimental methods for examination of the physical properties of matter and their application in advanced technologies
number of pages	4 (xsd:int)
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher	Biologické centrum AV ČR. Ústav půdní biologie
https://schema.org/isbn	80-239-6285-X
is http://linked.open...avai/riv/vysledek of	The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 112 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software