About: Research and Development of Technologies of Manufacturing of Novel Species of Silicon Wafers

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Research and Development of Technologies of Manufacturing of Novel Species of Silicon Wafers Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt
rdfs:seeAlso	http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=FR-TI3/031
Description	Project is focused on R&D of novel processes of crystal growth, silicon wafers manufacturing and epitaxial layers growth. There are subjects of R&D of crystal growth (110) silicon ingots and large scale ingots (with diameter above 200 mm). Computer simulations of Czochralski silicon crystal growth and development of specific modules for crystal growth optimization are fundamental for R&D tests. Developed ingots will be utilized for development of processes of polished silicon wafers manufacturing including achievement of sub-micron flatness and sub-nanometer surface roughness suitable for advanced semiconductor applications. R&D of Advanced EPItaxial layers growth (AEPI) is focused on achievement of top-level parameters (high radial homogeneity of layer thickness and dopant concentration; controlled axial profile of dopant) of epitaxial layers on 200 mm silicon substrates. (en) Programový projekt je zaměřen na VaV nových procesů růstu krystalů, výroby křemíkových desek a růst epitaxních vrstev. Předmětem VaV růstu krystalů budou křemíkové ingoty orientace (110) a ingoty velkých průměrů (nad 200 mm). Východiskem pro realizaci vývojových testů jsou počítačové simulace Czochralskiho růstu krystalů křemíku a vývoj specifických modulů pro optimalizaci procesu růstu. Vyvinuté krystaly budou využity pro vývoj procesů výroby leštěných křemíkových desek se sub-mikronovou rovinností a sub-nanometrovou drsnosti povrchu vhodných pro pokročilé polovodičové aplikace. VaV procesu růstu pokročilých epitaxních vrstev (AEPI Advanced EPItaxy) je zaměřen na dosažení špičkových parametrů (vysoké radiální homogenity tloušťky vrstvy a koncentrace dopantu; řízeného axiálního profilu dopantu) epitaxních vrstev na křemíkových substrátech průměru 200 mm.
Title	Research and Development of Technologies of Manufacturing of Novel Species of Silicon Wafers (en) Výzkum a vývoj technologií výroby nových typů křemíkových desek
skos:notation	FR-TI3/031
http://linked.open...avai/cep/aktivita	TIP
http://linked.open...kovaStatniPodpora	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/FR-TI3%2F031/celkovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/FR-TI3%2F031/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV	2014-07-14 (xsd:date)
http://linked.open...i/cep/druhSouteze	VS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
http://linked.open...ep/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open.../cep/fazeProjektu	92851749
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor	JJ - Ostatní materiály
http://linked.open...hodnoceniProjektu	U - Uspěl podle zadání, tj. byly splněny cíle a jeho předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory
http://linked.open...vai/cep/kategorie	VV - Vývoj
http://linked.open.../cep/klicovaSlova	dopant; epitaxy; ingot; crystal; silicon; crystallographic orientation; silicon wafer; computer simulation; semiconductor; crystal growth (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni	ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce
http://linked.open...inujicichPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu	1 (xsd:int)
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV	9 (xsd:int)
http://linked.open...enychVysledkuVRIV	9 (xsd:int)
http://linked.open...lneniVMinulemRoce	2012-05-23 (xsd:date)
http://linked.open.../prideleniPodpory	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/FR-TI3%2F031
http://linked.open...iciPoslednihoRoku	2012
http://linked.open...atUdajeProjZameru	2013
http://linked.open.../vavai/cep/soutez	SMPO2011/01
http://linked.open...usZobrazovaneFaze	DUU
http://linked.open...ai/cep/typPojektu	P - Projekt výzkumu a vývoje financovaný ze státního rozpočtu
http://linked.open...ep/ukonceniReseni	2012-12-31 (xsd:date)
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
http://linked.open...ep/zahajeniReseni	2011-01-01 (xsd:date)
http://linked.open...jektu+dodavatelem	The goals and material contents of the project under subject were fulfilled within the defined extent and terms. (en) Cíle a věcná náplň předmětného projektu byly splněny ve stanoveném rozsahu a termínech. (cs)
http://linked.open...tniCyklusProjektu	ZKU
http://linked.open.../cep/klicoveSlovo	dopant computer simulation crystal crystallographic orientation epitaxy ingot semiconductor silicon silicon wafer
is http://linked.open...vavai/riv/projekt of	Czochralskiho růst 6%22 křemíkových krystalů orientace (110) Magnetic Czochralski Silicon Crystal Growth (MCZ) of 6%22 (100) and (111) Ingots CZ/MCZ crystal growth of slightly doped 8%22 ingots (100) from 150 kg charge Process of Advanced Epitaxial Growth (AEPI) on 150 and 200 mm Silicon substrates. Anisotropic etching of silicon by TMAH Macroscopic signs of crystal structure Final Product Specification for FRTI3031 <110> 625 µm or 525 µm Polished Wafers Final Product Specification for 200 mm AEPI W814AXX Silicon Epitaxial Wafers Defect engineering during Czochralski crystal growth and silicon wafer manufacturing
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/FR-TI3%2F031/2011/ico%3A26821532 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/FR-TI3%2F031/2012/ico%3A26821532 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/FR-TI3%2F031/2013/ico%3A26821532

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 18 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software