About: Chemical aspects of thin layer deposition of the AIII-nitrides in relation to electronic applications     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

AttributesValues
rdf:type
rdfs:seeAlso
Description
  • AIII-nitrides have been shown to be of both fundamental and practical interest. Applications in electronics cover light-emitting diodes, lasers, transistors, photodetectors, planar waveguides as well as hig-temperature electronic devices. Metal OrganicVapour Phase Epitaxy (MOVPE) has became the leading technology for preparation of epitaxial layers and structures ot these materials during the last decade. However some serious problems exist in the MOVPE. Lack of the substrate materials lattice-matchedto AIII-nitrides, different thermal stabilities of AIII-nitrides, different incorporation efficiencies in ternary a quaternary solid solutions growth as well as solid phase immiscibility in In-containing materials are the principal ones. One of the goalof this project is the preparation of ternary and quaternary solid solutions of AIII-nitrides by the MOVPE. Composition of these solutions will be investigated experimentaly and correlated with the calculated ones on the basis of the local thermodynamic (en)
  • Nitridy hliníku, gallia a india a jejich pevné roztoky, (Al,Ga,In)N, jsou v současné době materiály celosvětového významu, aplikované především v optoelektronice a vysokoteplotní elektronice. Tento strategický význam je však stále provázen některýmidosud nevyřešenými problémy v oblasti přípravy vysoce kvalitních epitaxních vrstev technologií MOVPE. Vážným problémem je např. zabudovávání india v roztocích AlInN a GaInN ve vyšších koncentracích při vyšších depozičních teplotách, reálná možnost fázovéodmíšení v ternárních a kvaternárních systémech a některé další. Nezanedbatelné nejsou ani některé rozporuplné literární údaje o optimálních technologických podmínkách přípravy kvalitních vrstev, např. vliv tlaku v technologii MOVPE. Navrhovaný projektje proto částečně zaměřen na přípravu ternárních, popřípadě kvaternárních pevných roztoků a jejich diagnostiku se zpětnou vazbou na technologické podmínky. Vrstvy budou připravovány technologií MOVPE na laboratorním technologickém zařízení, které bylo
Title
  • Chemical aspects of thin layer deposition of the AIII-nitrides in relation to electronic applications (en)
  • Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice
skos:notation
  • GA104/03/0387
http://linked.open...avai/cep/aktivita
http://linked.open...kovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV
http://linked.open...i/cep/druhSouteze
http://linked.open...ep/duvernostUdaju
http://linked.open.../cep/fazeProjektu
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor
http://linked.open...hodnoceniProjektu
http://linked.open...vai/cep/kategorie
http://linked.open.../cep/klicovaSlova
  • Neuvedeno. (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni
http://linked.open...inujicichPrijemcu
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV
http://linked.open...enychVysledkuVRIV
http://linked.open...okUkonceniPodpory
http://linked.open...okZahajeniPodpory
http://linked.open...iciPoslednihoRoku
http://linked.open...atUdajeProjZameru
http://linked.open.../vavai/cep/soutez
http://linked.open...usZobrazovaneFaze
http://linked.open...ai/cep/typPojektu
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor
http://linked.open...jektu+dodavatelem
  • V průběhu řešení byly byly změřeny tepelné kapacity GaN (320-570 K) a  InN (305-390 K) a relativní entalpie GaN (670-1270 K) a InN (427-774 K). Byly vypočteny hodnoty standardních molárních entropií GaN a InN při teplotě 298,15 K. Na základě teoretických (cs)
  • The heat capacities and relative enthalpies  were measured, respectively, in the temperature intervals (320-570 K) and (670-1270 K) for GaN and  (305-390 K) and (427-774 K) for InN. The standard molar entropies at 298 K were evaluated form the analysis o (en)
http://linked.open...tniCyklusProjektu
is http://linked.open...vavai/riv/projekt of
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of
Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 58 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software