About: Advanced BGSOI Technology

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Advanced BGSOI Technology Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	Advanced BGSOI Technology - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator – is based on manufacturing flow including: 1) Manufacturing of polished silicon wafers for SOI, 2) Thermal oxidation of wafers for BOX (Buried Oxide), 3) Wafers bonding and bonded pairs annealing, 4) Device layer grinding and grinding of the edge of SOI wafer. 5) Grinding and polishing of SOI wafer, 6) Cleaning of SOI wafers and SOI wafers metrology. This technology produces polished SOI wafers with diameters of 150 and 200 mm, with BOX thickness of 100 – 2000 nm and device layer thickness of 2 – 120 um. (en) Pokročilá BGSOI technologie - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator – je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Bonding křemíkových desek a žíhání bondovaného páru, 4) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 5) Broušení a leštění SOI desky, 6) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 – 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti 2 – 120 um. Pokročilá BGSOI technologie - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator – je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Bonding křemíkových desek a žíhání bondovaného páru, 4) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 5) Broušení a leštění SOI desky, 6) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 – 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti 2 – 120 um. (cs)
Title	Advanced BGSOI Technology (en) Pokročilá BGSOI technologie Pokročilá BGSOI technologie (cs)
skos:prefLabel	Advanced BGSOI Technology (en) Pokročilá BGSOI technologie Pokročilá BGSOI technologie (cs)
skos:notation	RIV/26821532:_____/13:#0000066!RIV14-TA0-26821532
http://linked.open...avai/predkladatel	ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(TA01010078)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2014
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Lorenc, Michal Pospíšil, Miloš Válek, Lukáš Šik, Jan
http://linked.open.../riv/druhVysledku	Z/B - Ověřená technologie
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	C - Předmět podléhá obchodnímu tajemství (§17 až 20 Obchodního zákoníku), ale některé údaje jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné
http://linked.open...onomickeParametry	JEDNOTKOVÁ CENA 60 USD/STANDARDNÍ BGSOI DESKA (PRŮMĚR 150 mm), očekávaný roční objem výroby min. 5 tis. Desek.
http://linked.open...titaPredkladatele	ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
http://linked.open...dnocenehoVysledku	96883
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/26821532:_____/13:#0000066
http://linked.open...terniIdentifikace	BGSOI-CZ2-ZKZ12/59
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open...vai/riv/kategorie	B - Do 10 mil. Kč, ale nad 5 mil. Kč
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	Silicon, Silicon-On-Insulator, SOI, BGSOI, Polishing, Grinding, Semiconductor (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	Silicon Semiconductor BGSOI Grinding Polishing SOI Silicon-On-Insulator
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[02EA84A106E2]
http://linked.open.../licencniPoplatek	A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	4 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	4 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications
http://linked.open...UplatneniVysledku	2013
http://linked.open...echnickeParametry	DEVICE LAYER 2-120 um, RADIÁLNÍ VARIABILITA +/-0.5um, BOX 100-2000 nm, WAFER DIAMETER 150 a 200 mm, SPECIFIKACE LEŠTĚNĚ DESKY PRO POLOVODODIČOVĚ APLIKACE. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Lorenc, Michal Pospíšil, Miloš Válek, Lukáš Šik, Jan
http://linked.open...avai/riv/vlastnik	ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, S.R.O.
http://linked.open...itiJinymSubjektem	A - Nabytí licence je nutné vždy

Faceted Search & Find service v1.16.116 as of Feb 22 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3239 as of Feb 22 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 67 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software