1) Applied research of advanced semiconductor materials and structures and experimental development of technologies for their manufacturing, especially advanced technology of Silicon-On-Insulator (SOI) manufacturing and bonding of silicon wafers for SOI. 2) Applied research and development of advanced methods for characterization of bulk and surface properties of semiconductor materials and structures (IR checking of bonding quality, complex metrology of SOI, measurement of minor carrier lifetime). (en)
1) Aplikovaný výzkum progresivních polovodičových materiálů a struktur a experimentální vývoj technologií jejich výroby se zaměřením na pokročilou technologii výroby Silicon-On-Insulator (SOI) a na bonding křemíkových desek pro SOI. 2) Aplikovaný výzkum a vývoj nových metod charakterizace objemových i povrchových vlastností polovodičových materiálů a struktur (IR kamera pro měření kvality bondingu, komplexní metrologie struktury SOI, měření doby života minoritních nositelů náboje).
The main factual results (G-functional sample / prototype Z-proven technology) have been met at a high technical level and to the extent necessary for the successful implementation of the project in excess of the original assignment. Two P- patents weren´t obtained by the date of the final proceedings. (en)
Hlavní věcné výsledky (G-funkční vzorek/prototyp, Z-ověřená technologie) byly splněny na vysoké technické úrovni a v rozsahu potřebném pro úspěšnou realizaci projektu překračujícím původní zadání. Dva výsledky druhu P-patent nebyly dosaženy k datu závěrečného oponentního řízení. (cs)