| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:seeAlso
| |
| Description
| - The transition metal (TM) doped AIIIBV semiconductors belong to a new class of advanced materials, dilute magnetic semiconductors, which have recently received much experimental and theoretical attention as a suitable spin source for spintronic devices, such as spin transitors, LEDs, magnetic RAMs and sensors. Some of the highly doped wide band gap materials like (Ga,Mn)N reveal a ferromagnetic like behavior near and above room temperature, which is considered as a major criterium for spintronic applications. The present project focuses on material and technological aspects of the TM doped AIIIN thin films fabricated by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) technique. Three different methods will be employed to incorporate TM (Mn, Cr, Fe, Co)into GaN (AlN) thin layers: (a) ion implantation followed by annealing, (b) diffusion at elevated temperatures from vapor deposited metallic layers into intrinsic GaN, and, (c|) in-situ MOVPE using MO precursors ( (C5H5)2TM ) as TM sources. The prepared (en)
- Polovodiče AIIIBV dopované přechodnými prvky (TM) patří do nové skupiny perspektivních materiálů zvaných %22zředěné%22 magnetické polovodiče, které upoutaly v poslední době mnoho pozornosti v teoretické i experimentální oblasti jako vhodné potenciální zdrojeelektronových spinů pro aplikace ve spinové elektronice. Některé vysoce dopované polovodivé materiály se širokým zakázaným pásem, jako např. (Ga,Mn)N vykazují feromagnetické chování kolem pokojové teploty a nad ní, což je považováno jako hlavní kriteriumpro aplikace ve spintronice. Předkládaný projekt se zaměřuje na materiálové a technologické aspekty tenkých vrstev nitridů AIIIN dopovaných TM připravovaných metodou MOVPE. K jejich přípravě budou použity tři různé postupy: (a) iontová implantace do vrstev intrinzického GaN (AlN) následovaná temperací, (b) difúze z napařených kovových vrstev prováděná za zvýšených teplot do GaN (AlN), (c) in-situ MOVPE depozice při využití organokovových prekurzorů (C5H5)2TM jako zdroje TM. Připravené vrstvy budou
|
| Title
| - Thin Films of Magnetically Doped A(iii)N Semiconductors for Spin Electronics Applications (en)
- Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice
|
| skos:notation
| |
| http://linked.open...avai/cep/aktivita
| |
| http://linked.open...kovaStatniPodpora
| |
| http://linked.open...ep/celkoveNaklady
| |
| http://linked.open...datumDodatniDoRIV
| |
| http://linked.open...i/cep/druhSouteze
| |
| http://linked.open...ep/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open.../cep/fazeProjektu
| |
| http://linked.open...ai/cep/hlavniObor
| |
| http://linked.open...hodnoceniProjektu
| |
| http://linked.open...vai/cep/kategorie
| |
| http://linked.open.../cep/klicovaSlova
| - dilute magnetic semiconductors; AiiiN; MO VPE; thin films; spintronics (en)
|
| http://linked.open...ep/partnetrHlavni
| |
| http://linked.open...inujicichPrijemcu
| |
| http://linked.open...cep/pocetPrijemcu
| |
| http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu
| |
| http://linked.open.../pocetVysledkuRIV
| |
| http://linked.open...enychVysledkuVRIV
| |
| http://linked.open...lneniVMinulemRoce
| |
| http://linked.open.../prideleniPodpory
| |
| http://linked.open...iciPoslednihoRoku
| |
| http://linked.open...atUdajeProjZameru
| |
| http://linked.open.../vavai/cep/soutez
| |
| http://linked.open...usZobrazovaneFaze
| |
| http://linked.open...ai/cep/typPojektu
| |
| http://linked.open...ep/ukonceniReseni
| |
| http://linked.open.../cep/vedlejsiObor
| |
| http://linked.open...ep/zahajeniReseni
| |
| http://linked.open...jektu+dodavatelem
| - Byl vyvinut technologický postup na bázi MOVPE a příslušná aparatura pro přípravu tenkých vrstev nitridů AIII dopovaných přechodnými kovy, s nimiž se počítá jako s možnými kandidáty pro aplikace ve spinové elektronice. Přestože připravené vrstvy GaN dopo (cs)
- A technological MOVPE equipment and procedure has been developed for the fabrication of thin films of AIII nitride semiconductors doped by transition metals which are envisaged as materials for spintronic applications. Although the prepared GaN layers do (en)
|
| http://linked.open...tniCyklusProjektu
| |
| http://linked.open.../cep/klicoveSlovo
| - dilute magnetic semiconductors
- AiiiN
- MO VPE
- thin films
|
| is http://linked.open...vavai/riv/projekt
of | |
| is http://linked.open...vavai/cep/projekt
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)