*Processes for plasma deposition of thin dielectric layers have wide aplication possibilities in the field of semiconductor industry and within the production of crystalline silicon solar cells. Layers deposited by the PECVD process reach high quality of electronic properties and high quality of visual appearance. Vertical deposition furnace has several advantages - smaller footprint, more simple manipulation with substrates a better process parameters. Project is also oriented to the reseach and development in the field of PECVD processes exploitation within technologies for production of crystalline silicon solar cells. PECVD processes will be applied for development of solar cells with efficience over 18% and of solar cells for special application. (en)
*Procesy plazmatické depozice tenkých dielektrických vrstvev mají široké aplikační možnosti v oblasti polovodičového průmyslu a ve výrobě krystalických křemíkových solárních článků. Vrstvy deponované procesem PECVD dosahují vysoké kvality elektronických vlastností a vysokou úroveň vizuálního vzhledu. Vertikální depoziční pec se vyznačuje několika přednostmi - zmenšení potřebné plochy, jednodušší manipulace s procesními substráty a lepšími procesními parametry. Projekt je rovněž zaměřen na výzkum a vývoj v oblasti využití PECVD procesů v technologii výroby struktur krystalických křemíkových solárních článků. S použitím PECVD procesů budou vyvinuty solární články s účinností nad 18% a solární články pro speciální aplikace.
Development of technologies applying thin layers of SINx, SIOx Ny a A10x on silicon substrates using plasma discharge at low pressure and at relatively low temperatures up to 500 C for applications in the semiconductor and photovoltaics industry. (en)
Vývoj technologie nanášené tentkých vrstev SINx, SIOx Ny a A10x na křemíkové substráty pomocí plasmatického výboje za nízkého tlaku a za relativně nízkých teplot do 500 C pro aplikace v polovodičovém a fotovoltaickém průmyslu. (cs)