About: Low-frequency noise in submicron MOSFET and HEMT structures

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Low-frequency noise in submicron MOSFET and HEMT structures Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt
rdfs:seeAlso	http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA102/08/0260
Description	The objective of this project is to achieve higher signal/noise ratio in submicron MOSFET and HEMT structures on the basis of low-frequency noise parameters assessment. We will thoroughly analyze the dependence of 1/f and RTS noise on longitudinal and transversal electric field intensity. In co-operation with sample producers Asahi Kasei (MOSFET) and CRL (HEMT) we will evaluate the dependence of low-frequency noise on sample geometry, technology and oxide layer preparation in order to determine noise sources and their localization. RTS noise capture and emission time constants will be explained using enhanced model of two-dimensional g-r process, based on Kolmogorov equation. The influence of low dimensional electron gas on 1/f noise will be analyzedin InGaAs/InAlAs heterostructures and similar high mobility devices. (en) Cílem projektu je na základě studia nízkofrekvenčního šumu přispět ke zvýšení poměru signál/šum submikronových MOSFET a HEMT struktur. Provedeme podrobnou analýzu parametrů 1/f a RTS šumu v závislosti na intenzitě elektrického pole v podélném a příčném směru. Ve spolupráci s výrobci vzorků Asahi Kasei (MOSFET) a CRL (HEMT) budeme vyhodnocovat závislost nízkofrekvenčního šumu na geometrii, technologii výroby a přípravy oxidové vrstvy s cílem určit zdroje šumu a jejich lokalizaci. Bude upraven model RTS šumu vycházející z Kolomogorovových rovnic, popisující dvourozměrný g-r proces tak, aby se objasnily doby setrvání RTS šumu v obou stavech. Vliv elektronového plynu nízké dimenze na 1/f šum bude zkoumán ve strukturách s vysokou pohyblivostí nosičů na bázi ternárních sloučenin InGaAs/InAlAs.
Title	Low-frequency noise in submicron MOSFET and HEMT structures (en) Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách
skos:notation	GA102/08/0260
http://linked.open...avai/cep/aktivita	Standard projects
http://linked.open...kovaStatniPodpora	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA102%2F08%2F0260/celkovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA102%2F08%2F0260/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV	2015-02-09 (xsd:date)
http://linked.open...i/cep/druhSouteze	VS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
http://linked.open...ep/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open.../cep/fazeProjektu	82297650
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
http://linked.open...hodnoceniProjektu	U - Uspěl podle zadání, tj. byly splněny cíle a jeho předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory
http://linked.open...vai/cep/kategorie	ZV - Základní výzkum
http://linked.open.../cep/klicovaSlova	1/f noise; RTS noise; noise source; MOSFET; HEMT (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni	Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
http://linked.open...inujicichPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu	1 (xsd:int)
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV	17 (xsd:int)
http://linked.open...enychVysledkuVRIV	17 (xsd:int)
http://linked.open...lneniVMinulemRoce	2010-04-16 (xsd:date)
http://linked.open.../prideleniPodpory	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/102%2F08%2F0260
http://linked.open...iciPoslednihoRoku	2010
http://linked.open...atUdajeProjZameru	2011
http://linked.open.../vavai/cep/soutez	SGA02008GA-ST
http://linked.open...usZobrazovaneFaze	DUU
http://linked.open...ai/cep/typPojektu	P - Projekt výzkumu a vývoje financovaný ze státního rozpočtu
http://linked.open...ep/ukonceniReseni	2010-12-31 (xsd:date)
http://linked.open...ep/zahajeniReseni	2008-01-01 (xsd:date)
http://linked.open...jektu+dodavatelem	Project was focused on low-frequency noise study of modern microelectronic devices based on silicon and compound semiconductors (GaN, InGaAs). The main objective was to improve theoretical model of noise generation due to the charge carrier capture and emission by traps mainly on the channel-oxide layer interface and use it to determine trap parameters such as their activation energy and position (en) Projekt byl zaměřen na studium nízkofrekvenčního šumu moderních mikroelektronických součástek na bázi křemíku a smíšených polovodičů (GaN, InGaAs). Hlavním cílem bylo na základě měření transportních a šumových charakteristik tranzistorů řízených elektrickým polem v širokém rozsahu teplot vylepšit teoretický model vzniku šumu v důsledku zachycení a uvolnění nosičů náboje na pastech zejmé (cs)
http://linked.open...tniCyklusProjektu	ZBKU
http://linked.open.../cep/klicoveSlovo	1/f noise MOSFET RTS noise noise source
is http://linked.open...vavai/riv/projekt of	Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET Low-Frequency Noise Characteristics of InGaAs/InAlAs Heterostructures Low-Frequency Noise Characteristics of InGaAs/InAlAs Heterostructures RTS noise and location of traps in MOSFETs Amplitude of RTS Noise in MOSFETs RTS šum v tranzistorech MOSFET RTS noise amplitude and electron concentration in MOSFETs Activation energy of RTS noise Model for rts noise in submicron mosfets Model for RTS noise in submicron mosfets 1/f noise models and low-frequency noise characteristics of InAlAs/ InGaAs devices Activation Energy of RTS Noise 1/f noise models and low-frequency noise characteristics of InAlAs/InGaAs devices Scaling of RTS Noise in MOSFETs Noise Spectroscopy of Traps in MOSFETs Leakage Current and Noise of High Voltage NbO and Ta Capacitors Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: Leakage Current, Restoring Voltage and Reliability
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA102%2F08%2F0260/2008/orjk%3A26220 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA102%2F08%2F0260/2009/orjk%3A26220 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA102%2F08%2F0260/2010/orjk%3A26220 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA102%2F08%2F0260/2011/orjk%3A26220

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 110 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software