Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - We document the new hot zone development for Czochralski silicon crystal pulling. With addition of graphite cone and top ring we reach flatter solid/liquid interface with corresponding better radial homogeneity of impurities distribution in ingot. Our new hot zone solution also induces significantly lower argon , heater power, cooling water consumption. Generally we can increase pulling speed of growing ingot and slightly decrease safety diameter of ingot (with respect to specified final diameter of ingot). We discussed also changes in bulk parameters of pulled ingots (oxygen content, radial homogeneity of impurities, bulk-microdefect distribution). (cs)
- Dokumentujeme vývoj nové topné zóny pro Czochralskiho tažení monokrystalů křemíku. Přidáním grafitového cone a horního grafitového kruhu dosáhneme ploššího fázového rozhraní a tomu odpovídá zvýšení radiální homogenity příměsí v krystalu. Naše nové řešení topné zóny přináší rovněž výrazné snížení spotřeby argonu, příkonu topidla a spotřeby chladící vody. Obecně je možné také zvýšit rychlost tažení krystalu a zároveň mírně snížit bezpečný průměr taženého krystalu (blíže k zadanému konečnému průměru krystalu). Věnujeme pozornost také objemovým vlastnostem tažených krystalů (obsah kyslíku, radiální homogenity rozložení příměsí, distribuce mikrodefektů).
- Dokumentujeme vývoj nové topné zóny pro Czochralskiho tažení monokrystalů křemíku. Přidáním grafitového cone a horního grafitového kruhu dosáhneme ploššího fázového rozhraní a tomu odpovídá zvýšení radiální homogenity příměsí v krystalu. Naše nové řešení topné zóny přináší rovněž výrazné snížení spotřeby argonu, příkonu topidla a spotřeby chladící vody. Obecně je možné také zvýšit rychlost tažení krystalu a zároveň mírně snížit bezpečný průměr taženého krystalu (blíže k zadanému konečnému průměru krystalu). Věnujeme pozornost také objemovým vlastnostem tažených krystalů (obsah kyslíku, radiální homogenity rozložení příměsí, distribuce mikrodefektů). (en)
|
Title
| - Development of hot zones for Czochralski pulling
- Development of hot zones for Czochralski pulling (en)
- Vývoj topných zón pro Czochralskiho tažení (cs)
|
skos:prefLabel
| - Development of hot zones for Czochralski pulling
- Development of hot zones for Czochralski pulling (en)
- Vývoj topných zón pro Czochralskiho tažení (cs)
|
skos:notation
| - RIV/26821532:_____/06:#0000001!RIV08-MPO-26821532
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/26821532:_____/06:#0000001
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - silicon, Czochralski, hot zone, crystal, pulling (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
| |
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Proceedings of the 16th Joint Seminar Development of Materials Science in Research and Education
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Lorenc, Michal
- Válek, Lukáš
- Šik, Jan
|
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
| |
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
| |
number of pages
| |
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
| - Czech and Slovak Crystallographic Association
|
https://schema.org/isbn
| |