Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
rdfs:seeAlso
| |
Description
| - Zařízení je určeno pro depozici ultratenkých uhlíkových vrstev a dopování polovodičových materiálů (napřiklad GaN, GaAs) v podmínkách UHV. Atomy uhlíku sublimují z HOPG vlákna, které je žhaveno průchodem proudu (I = 55 A). Teplota vlákna je snímána pomocí termočlánků.
- Zařízení je určeno pro depozici ultratenkých uhlíkových vrstev a dopování polovodičových materiálů (napřiklad GaN, GaAs) v podmínkách UHV. Atomy uhlíku sublimují z HOPG vlákna, které je žhaveno průchodem proudu (I = 55 A). Teplota vlákna je snímána pomocí termočlánků. (cs)
- Employing this device ultrathin carbon layers can be deposited and semiconductor materials doped under UHV conditions. Carbon atoms sublime from HOPG filament heated by direct current passing through (55 A) The filament temperature is measured by thermocouple. (en)
|
Title
| - Sublimation source of carbon atoms (en)
- Sublimační zdroj atomů uhlíku
- Sublimační zdroj atomů uhlíku (cs)
|
skos:prefLabel
| - Sublimation source of carbon atoms (en)
- Sublimační zdroj atomů uhlíku
- Sublimační zdroj atomů uhlíku (cs)
|
skos:notation
| - RIV/00216305:26620/14:PR28224!RIV15-TA0-26620___
|
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...onomickeParametry
| - Náklady na výrobu byly 150 000Kč. Doba vývoje zařízení přesáhla několik set hodin. Zařízení je využíváno ke studiu růstu organických polovodičových tenkých vrstev v UHV. Dále bude užíváno ke studiu růstu grafenových vrstev UHV podmínkách.
|
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/00216305:26620/14:PR28224
|
http://linked.open...terniIdentifikace
| |
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open...vai/riv/kategorie
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - Sublimation source, Carbon atomic source, Effusion cell, Ultrathin layers, UHV, Deposition, Dopants (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open.../licencniPoplatek
| |
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...echnickeParametry
| - Zařízení je určeno k depozici uhlikových ultratenkých vrstev v podmínkách UHV od p>1x10-5Pa. Zařízení obsahuje sublimační vlákno vyrobené z vysoce orientovaného pyrolitickeho grafit (HOPG) . Ohřev vlákna je realizován průchodem proudu I = 55 A dosahuje teploty ( 1900 C). Tělo zdroje je zhotoveno s F.O.Cu. a účinně chlazeno vodou. Celé zařízení je umístěno na přírubě DN40.
|
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Mach, Jindřich
- Procházka, Pavel
|
http://linked.open...avai/riv/vlastnik
| |
http://linked.open...itiJinymSubjektem
| |
http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |