Research and development of advanced wafers with SOI structure as a substrate material for TIGBT technology. Research and development of manufacturing process of TIGBT technology for reduction of conductivity and switching losses. Research and development of new generation of TIGBT devices for high efficiency applications. Research and development of new methods for measurements of parameters of semiconductor substrates and devices. (en)
Výzkum a vývoj pokročilé substrátové desky se SOI strukturou pro použití v TIGBT technologii. Výzkum a vývoj výrobního procesu technologie TIGBT pro redukci vodivostních a spínacích ztrát. Výzkum a vývoj nové generace TIGBT součástek pro náročné aplikace. Výzkum a vývoj nových metodik měření parametrů polovodičových substrátů a součástek.