Description
| - Preparation of vertically stacked, multiple-layer InAs/GaAs quantum dot (QD) structures, optimized for the high brightness of luminescent emission. Several key properties, such as the emission wavelength, the difference between the energies of the firstand the second radiative transitions, and the density of the QDs, will be targeted, aiming at potential laser applications. The QD structures will be prepared by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy, using the Stransky-Krastanov growth mechanism. Their properties will be tuned by changing the number of QD layers, the thicknesses of the GaAs spacer layers and the chemical composition and thickness of the buffer layer. The structural and electronic properties will be characterized by X-ray diffraction, TEM, AFM, luminescence, absorption, reflectance, and photoconductivity. In parallel, they will also be studied theoretically, with a particular emphasis on effects due to the strained buffer layer and the vertical correlations. The structures will be (en)
- Příprava vertikálně korelovaných vícevrstvých struktur kvantových teček InAs s vysokou účinností luminiscence. Budou připraveny struktury se zadanými vlastnostmi, jako je vlnová délka emise, energetický rozdíl mezi nejnižším a druhým nejnižším zářivým přechodem v QD a plošné hustoty QD, důležitými pro použití v optoelektronice. Vrstevnaté struktury korelovaných QD budou připraveny metodou plynné epitaxe z organokovových sloučenin (MOVPE) v růstovém modu Stranského-Krastanovova. Jejich vlastnosti budouladěny změnou počtu vrstev, různou tloušťkou oddělovacích vrstev GaAs mezi vrstvami kvantových teček InAs a změnou chemického složení a tloušťky napnuté vyrovnávací vrstvy. Vzorky budou charakterizovány strukturními a optickými metodami, především pomocírozptylu Roentgenova záření, TEM, AFM, luminiscence, absorpce, reflexe a fotovodivosti. Paralelně bude teoreticky studován vliv napjaté vyrovnávací vrstvy a vertikální korelace na elektronovou strukturu kvantových teček. Struktury budou optimalizovány
|