About: *Research and development of advanced IGBT technologies for high voltage power applications

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: *Research and development of advanced IGBT technologies for high voltage power applications Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt
rdfs:seeAlso	http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=FR-TI3/534
Description	This project is oriented to research and development in the area of high voltage power discrete IGBT devices with the aim to develop a manufacturing technology for advanced IGBT devices with polysilicon gate in a deep trench, high voltage die edge termination with floating implanted rings, and recessed contacts. Due to their low on-state voltage and low power losses, these devices have improved efficiency of the electrical energy consuption in appliances and tools for home and industrial applications, or in hybrid and fully electric cars, and offer more efficient energy conversion from renewable energy sources. This technology will be available in two voltage options, 600V and 1200V, and in two designs, NPT and FS, allowing implementation in a wide range of applications. (en) Projekt je zaměřen na výzkum a vývoj v oblasti vysokonapěťových výkonových diskrétních součástek IGBT s cílem vyvinout technologii výroby pokročilých součástek IGBT s vertikálním polykřemíkovým hradlem v hlubokém trenči, vysokonapěťovým ukončením aktivní oblasti čipu metodou elektricky plovoucích implantovaných prstenců a zapuštěným kolektorovým kontaktem. Tyto součástky díky nízkému napětí v propustném směru a nízkým ztrátám při spínání umožní efektivnější využívání elektrické energie ve spotřebičích, strojích a zařízeních v domácnostech a průmyslu či v elektrických a hybridních automobilech, a efektivnější získávání energie z obnovitelných zdrojů. Technologie bude mít dvě napěťové verze, 600V a 1200V, a dvě strukturní varianty, NPT a FS, pro možnost cíleného využití v širokém spektru aplikací.
Title	Research and development of advanced IGBT technologies for high voltage power applications (en) Výzkum a vývoj pokročilých IGBT technologií pro vysokonapěťové výkonové aplikace
skos:notation	FR-TI3/534
http://linked.open...avai/cep/aktivita	TIP
http://linked.open...kovaStatniPodpora	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/FR-TI3%2F534/celkovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/FR-TI3%2F534/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV	2014-07-17 (xsd:date)
http://linked.open...i/cep/druhSouteze	VS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
http://linked.open...ep/duvernostUdaju	C - Předmět podléhá obchodnímu tajemství (§17 až 20 Obchodního zákoníku), ale některé údaje jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné
http://linked.open.../cep/fazeProjektu	100579686
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
http://linked.open...hodnoceniProjektu	U - Uspěl podle zadání, tj. byly splněny cíle a jeho předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory
http://linked.open...vai/cep/kategorie	VV - Vývoj
http://linked.open.../cep/klicovaSlova	semiconductors; IGBT; high voltage technologies; power devices (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni	ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce
http://linked.open...inujicichPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu	1 (xsd:int)
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV	8 (xsd:int)
http://linked.open...enychVysledkuVRIV	8 (xsd:int)
http://linked.open...lneniVMinulemRoce	2013-06-14 (xsd:date)
http://linked.open.../prideleniPodpory	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/FR-TI3%2F534
http://linked.open...iciPoslednihoRoku	2013
http://linked.open...atUdajeProjZameru	2014
http://linked.open.../vavai/cep/soutez	SMPO2011/01
http://linked.open...usZobrazovaneFaze	DUU
http://linked.open...ai/cep/typPojektu	P - Projekt výzkumu a vývoje financovaný ze státního rozpočtu
http://linked.open...ep/ukonceniReseni	2013-12-31 (xsd:date)
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor	JP - Průmyslové procesy a zpracování
http://linked.open...ep/zahajeniReseni	2011-01-01 (xsd:date)
http://linked.open...jektu+dodavatelem	Byly vyvinuty technologické prospekty pro 4 Treuch IGBT technologie: 1200V NPT, 600V NPT, 1200V FS and 600VFS. (cs) Processes for 4 Treuch IGBT technologies were developed: 1200V NPT, 600V NPT, 1200V FS and 600VFS. (en)
http://linked.open...tniCyklusProjektu	ZBKU
http://linked.open.../cep/klicoveSlovo	semiconductors IGBT high voltage technologies
is http://linked.open...vavai/riv/projekt of	Silicon wafer (150 mm) with chips of 600V NPT IGBT technology Silicon wafer (150 mm) with chips of 1200V NPT IGBT technology Silicon wafer (150 mm) with chips of 600V FS IGBT technology Silicon wafer (150 mm) with chips of technology of 1200V FS IGBT 600V NPT IGBT Process 1200V FS IGBT Process 1200V NPT IGBT Process 600V FS IGBT Process
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/FR-TI3%2F534/2011/ico%3A26821532 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/FR-TI3%2F534/2012/ico%3A26821532 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/FR-TI3%2F534/2013/ico%3A26821532 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/FR-TI3%2F534/2014/ico%3A26821532

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 46 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software