The aim of the proposed project is the preparation of PbI2 single crystals and optimisation of their structural, electrical and optical properties in view of efficient detection of rtg radiation at room and elevated temperature up to 130°C. A modification of electro-optical properties in dependence on addition of suitable admixtures (rare earths, Au etc.) will be studied. PbI2 material will be prepared by direct synthesis from the elements of Pb and I2 and purified by zone melting. The Bridgman-Stockbarger growing apparatus will be used for growing single crystals. The oriented sapphire nucleus will be used to achieve the growth in the required direction. The structural properties of PbI2 will be studied by scanning electron microscopyand high resolution X-ray diffractometry. The electrical and optical properties will be evaluated by measuring I-V characteristics, the temperature dependent Hall effect and low-temperature photoluminescence. SIMS will be used to check elemental depth (en)
Cíl projektu spočívá v přípravě monokrystalického PbI2 a optimalizaci jeho strukturních, elektrických a optických vlastností z hlediska účinné detekce rtg záření. PbI2 materiál má potencál pro přípravu detektorových struktur efektivně pracujících při pokojové a vyšších teplotách (až do 130°C). Bude zkoumána modifikace elektro-optických vlastností krystalů v závislosti na přidávání vhodných příměsí (vzácné zeminy, Au a pod). Materiál PbI2 bude připraven přímou syntézou z prvků olova a jodu a dále čištěn zonálním tavením. Pro pěstování monokrystalů bude použita vertikální aparatura Bridgman-Stockbargera. Pro zajištění růstu ve vhodném směru bude využito orientovaného zárodku safíru. Ke studiu strukturních vlastností PbI2 bude použita řádkovací elektronová mikroskopie a rtg difraktometrie s vysokým rozlišením. Elektrické a optické vlastnosti budou vyšetřovány pomocí I-V charakteristik, teplotně závislého Hallova jevu a nízkoteplotní fotoluminiscenční spektroskopie. Elementální hloubkové profily (cs)