We want to explain the influence of the technological process of preparation of the samples on the transfer of electronic charge or of the electronic excitation energy between individual elements of the semiconductor nanostructures in the materials of the type of InAs, GaN or Si and Ge. In the theoretical work we want to explain the influence of the magnitude of the nanocrystalline particles and the influence of the processes of the electron scattering on phonons in the transfer of electronic charge and energy in the nanostructures. We expect that the obtained knowledge will help us to understand the processes of the conversion of the light in the photovoltaic devices and also to understand the origin of the dark current in the photodetectors of the infrared light based on the quantum dots. We also expect that the gained knowledge will help us to better understand the photoluminescence and electroluminescence of semiconductors with indirect gap , like Si and diamond. (en)
Projekt je řešen ve spolupráci s kolegy z Ústavu fyziky polovodičů, Sibiřské oddělení Ruské akademie věd, v Novosibirsku. Z technologického hlediska se zaměříme především na funkcionalizaci povrchu nanočástic a na metody optimálního zabudování nanočástic do tenkých vrstev hydrogenovaného amorfního křemíku a PIN přechodů. Z experimentálního hlediska bude hlavní důraz kladen na studium defektů v zakázanem pásu a-Si:H pomocí měření spekter optické absorpce a fotoproudu, studium směření účinnosti photovoltaického jevu a elektroluminiscence. Z teoretického hlediska bude položen důraz na výzkum takových jevů, jakými je vliv přítomnosti kvantových nanostruktur na hustotu stavů v zakázaném pásu a-Si:H. Dále budeme porovnávat výsledky teoretického modelování přenosu náboje funkcionalizovaným povrchem nanočástic s naměřenými optickými spektry. Získané výsledky pomohou porozumět procesům konverze světla ve fotovoltaických součástkách a elektroluminiscenčních diodách vyrobených na bázi PIN tenkovrstvého křemíku