About: InP Epitaxial Layers Prepared from Rare-Earth Treated Melts: Growth, Characterization, and Application in Radiation Detectors.

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: InP Epitaxial Layers Prepared from Rare-Earth Treated Melts: Growth, Characterization, and Application in Radiation Detectors. Goto Sponge Distinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt
rdfs:seeAlso	http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GP102/08/P617
Description	High-purity InP LPE layers with rare-earth (RE) admixtures will be prepared. Introduction of RE in the melt leads to simultaneous gettering of shallow impurities. Donor impurities are preferentially gettered. The preferential gettering results in conductivity conversion from n- to p-type when increasing the RE content in the melt. P-type layers with substantially lowered free carrier concentrations can be grown. These layers are suitable for preparation of a Schottky contact with a large barrier height. Thick layers of p-type conductivity with a high quality Schottky contact can be applied in ionizing radiation detector structures. Results of the electrical and optical measurements will be correlated with chemical analysis performed by SIMS in order to designate the dominant residual impurities and improve the growth technology. Detailed description of the gettering phenomenon will be given together with the explenation of the conductivity conversion. (en) Vysoce čisté vrstvy InP budou připraveny metodou kapalné epitaxe s příměsí prvků vzácných zemin (RE) do růstové taveniny. RE v růstové tavenině getrují mělké příměsi. Přednostně jsou getrovány donorové příměsi. Při zvyšování obsahu RE v tavenině má přednostní getrování donorů za následek změnu vodivosti z typu n na typ p. Takto můžeme připravit vrstvy typu p s významně nižšími koncentracemi volných nosičů. Tyto vrstvy jsou vhodné pro přípravu Schottkyho kontaktů s vysokou výškou bariéry. Tlusté vrstvy typu p s kvalitními Schottkyho kontakty mohou nalézt využití ve strukturách pro detekci ionizujícího záření. Pochopení vzájemného vztahu mezi elektrickými a optickými měřeními a chemickou analýzou vrstev provedenou metodou SIMS napomůže stanovení dominantních příměsí a povede ke zlepšení technologie růstu. Bude podrobně popsán proces getrace spolu s vysvětlením změny vodivostního typu.
Title	InP Epitaxial Layers Prepared from Rare-Earth Treated Melts: Growth, Characterization, and Application in Radiation Detectors. (en) Epitaxní vrstvy InP připravené z taveniny obsahující prvky vzácných zemin: růst, charakterizace a aplikace v detektorech záření.
skos:notation	GP102/08/P617
http://linked.open...avai/cep/aktivita	Post-graduate (doctorate) grants
http://linked.open...kovaStatniPodpora	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GP102%2F08%2FP617/celkovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GP102%2F08%2FP617/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV	2015-03-20 (xsd:date)
http://linked.open...i/cep/druhSouteze	VS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
http://linked.open...ep/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open.../cep/fazeProjektu	82379560
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
http://linked.open...hodnoceniProjektu	V - Vynikající výsledky (s mezinárodním významem apod.). Zároveň byly splněny cíle a předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory.
http://linked.open...vai/cep/kategorie	ZV - Základní výzkum
http://linked.open.../cep/klicovaSlova	III-V semiconductors; liquid phase epitaxy; rare-earth elements (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni	Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
http://linked.open...inujicichPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu	1 (xsd:int)
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV	6 (xsd:int)
http://linked.open...enychVysledkuVRIV	6 (xsd:int)
http://linked.open...lneniVMinulemRoce	2010-04-16 (xsd:date)
http://linked.open.../prideleniPodpory	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/102%2F08%2FP617
http://linked.open...iciPoslednihoRoku	2010
http://linked.open...atUdajeProjZameru	2011
http://linked.open.../vavai/cep/soutez	SGA02008GA1PD
http://linked.open...usZobrazovaneFaze	DUU
http://linked.open...ai/cep/typPojektu	P - Projekt výzkumu a vývoje financovaný ze státního rozpočtu
http://linked.open...ep/ukonceniReseni	2010-12-31 (xsd:date)
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor	JB - Senzory, čidla, měření a regulace JJ - Ostatní materiály
http://linked.open...ep/zahajeniReseni	2008-01-01 (xsd:date)
http://linked.open...jektu+dodavatelem	The project was devoted to the preparation, characterization, and application of InP epitaxial layers prepared from rare-earth (RE) treated liquid phase. A unique study of the impact of ten different REs and their oxides on the properties of InP epitaxial layers was completed. This study was motivated by the lack of systematic research in the field of liquid phase epitaxy (LPE) grown III-V semico (en) V rámci projektu jsme se věnovali přípravě, charakterizaci a aplikaci epitaxních vrstev InP připravených s přídavkem vzácných zemin (RE) do kapalné fáze. Byla dokončena jedinečná studie vlivu deseti různých RE a jejich oxidů na vlastnosti epitaxních vrstev InP. Tato studie byla motivována neexistencí systematického výzkumu v oblasti III-V polovodičů připravených kapalnou epitaxí s RE v  růst (cs)
http://linked.open...tniCyklusProjektu	ZBKU
http://linked.open.../cep/klicoveSlovo	III-V semiconductors liquid phase epitaxy
is http://linked.open...vavai/riv/projekt of	Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers Influence of Yb AND Yb2O3 addition on the properties of InP layers LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures GROWTH OF InP CRYSTALS WITH RARE-EARTH ELEMENTS Room temperature particle detectors based on indium phosphide Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GP102%2F08%2FP617/2008/ico%3A67985882 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GP102%2F08%2FP617/2009/ico%3A67985882 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GP102%2F08%2FP617/2010/ico%3A67985882 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GP102%2F08%2FP617/2011/ico%3A67985882

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 39 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software