This HTML5 document contains 56 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n19http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/licencniPoplatek/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000067%21RIV14-TA0-26821532/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/kategorie/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiJinymSubjektem/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n18http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000067%21RIV14-TA0-26821532
rdf:type
n14:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
Pokročilá BESOI technologie - Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator – je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) Výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) Oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Růst specifické epitaxní struktury s „etch-stop“ efektem, 4) Vhodnou úprava povrchu epitaxní desky, bonding křemíkových desek a nízkoteplotní žíhání bondovaného páru, 5) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 6) Broušení a leštění SOI desky, 7) Selektivní leptání na etch-stop, odstranění etch-stop, 8) Chemicko-mechanická planarizace (CMP) aktivní oblasti BESOI, 9) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 – 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti > 1 um s nízkou variabilitou tloušťky až +/- 0.1 um. Advanced BESOI Technology - Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator – is based on manufacturing flow including: 1) Manufacturing of polished silicon wafers for SOI, 2) Thermal oxidation of wafers for BOX (Buried Oxide), 3) Epitaxial growth of specific layers with “etch-stop” effect, 4) Proper surface treatment of epitaxial wafer, wafers bonding and bonded pairs low-temperature annealing, 5) Device layer grinding and grinding of the edge of SOI wafer. 6) Grinding and polishing of SOI wafer, 7) Selective etching to etch-stop layer, removal of etch-stop layer, 8) Chemical-mechanical planarization (CMP) of BESOI device layer, 9) Cleaning of SOI wafers and SOI wafers metrology. This technology produces polished SOI wafers with diameters of 150 and 200 mm, with BOX thickness of 100 – 2000 nm and device layer thickness > 1 um with low radial thickness variability +/- 0.1 um. Pokročilá BESOI technologie - Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator – je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) Výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) Oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Růst specifické epitaxní struktury s „etch-stop“ efektem, 4) Vhodnou úprava povrchu epitaxní desky, bonding křemíkových desek a nízkoteplotní žíhání bondovaného páru, 5) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 6) Broušení a leštění SOI desky, 7) Selektivní leptání na etch-stop, odstranění etch-stop, 8) Chemicko-mechanická planarizace (CMP) aktivní oblasti BESOI, 9) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 – 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti > 1 um s nízkou variabilitou tloušťky až +/- 0.1 um.
dcterms:title
Pokročilá BESOI technologie Advanced BESOI Technology Pokročilá BESOI technologie
skos:prefLabel
Advanced BESOI Technology Pokročilá BESOI technologie Pokročilá BESOI technologie
skos:notation
RIV/26821532:_____/13:#0000067!RIV14-TA0-26821532
n14:predkladatel
n19:ico%3A26821532
n4:aktivita
n5:P
n4:aktivity
P(TA01010078)
n4:dodaniDat
n18:2014
n4:domaciTvurceVysledku
n6:4243757 n6:1116029 n6:8906793 n6:6724264 n6:1388428
n4:druhVysledku
n20:Z%2FB
n4:duvernostUdaju
n9:C
n4:ekonomickeParametry
JEDNOTKOVÁ CENA 100 USD/STANDARDNÍ BGSOI DESKA (PRŮMĚR 150 mm), očekávaný roční objem výroby min. 1 tis. desek.
n4:entitaPredkladatele
n17:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
96882
n4:idVysledku
RIV/26821532:_____/13:#0000067
n4:interniIdentifikace
BESOI-CZ2-ZKZ13/103
n4:jazykVysledku
n13:cze
n4:kategorie
n11:B
n4:klicovaSlova
Silicon, Silicon-On-Insulator, SOI, BESOI, Polishing, Grinding, Etching, Epitaxy, Etch-stop, Semiconductor
n4:klicoveSlovo
n7:Silicon n7:SOI n7:BESOI n7:Etch-stop n7:Semiconductor n7:Polishing n7:Silicon-On-Insulator n7:Etching n7:Grinding n7:Epitaxy
n4:kontrolniKodProRIV
[27E6A07E2416]
n4:licencniPoplatek
n10:A
n4:obor
n12:JA
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
5
n4:pocetTvurcuVysledku
5
n4:projekt
n15:TA01010078
n4:rokUplatneniVysledku
n18:2013
n4:technickeParametry
DEVICE LAYER > 1 um, RADIÁLNÍ VARIABILITA +/-0.1um, BOX 100-2000 nm, WAFER DIAMETER 150 a 200 mm, SPECIFIKACE EPITAXNÍ DESKY PRO POLOVODODIČOVÉ APLIKACE. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.
n4:tvurceVysledku
Šik, Jan Kostelník, Petr Válek, Lukáš Lorenc, Michal Pospíšil, Miloš
n4:vlastnik
n17:vlastnikVysledku
n4:vyuzitiJinymSubjektem
n16:A