This HTML5 document contains 51 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/licencniPoplatek/
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000066%21RIV14-TA0-26821532/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/kategorie/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiJinymSubjektem/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n19http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000066%21RIV14-TA0-26821532
rdf:type
n3:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
Advanced BGSOI Technology - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator – is based on manufacturing flow including: 1) Manufacturing of polished silicon wafers for SOI, 2) Thermal oxidation of wafers for BOX (Buried Oxide), 3) Wafers bonding and bonded pairs annealing, 4) Device layer grinding and grinding of the edge of SOI wafer. 5) Grinding and polishing of SOI wafer, 6) Cleaning of SOI wafers and SOI wafers metrology. This technology produces polished SOI wafers with diameters of 150 and 200 mm, with BOX thickness of 100 – 2000 nm and device layer thickness of 2 – 120 um. Pokročilá BGSOI technologie - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator – je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Bonding křemíkových desek a žíhání bondovaného páru, 4) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 5) Broušení a leštění SOI desky, 6) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 – 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti 2 – 120 um. Pokročilá BGSOI technologie - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator – je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Bonding křemíkových desek a žíhání bondovaného páru, 4) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 5) Broušení a leštění SOI desky, 6) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 – 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti 2 – 120 um.
dcterms:title
Advanced BGSOI Technology Pokročilá BGSOI technologie Pokročilá BGSOI technologie
skos:prefLabel
Advanced BGSOI Technology Pokročilá BGSOI technologie Pokročilá BGSOI technologie
skos:notation
RIV/26821532:_____/13:#0000066!RIV14-TA0-26821532
n3:predkladatel
n4:ico%3A26821532
n5:aktivita
n11:P
n5:aktivity
P(TA01010078)
n5:dodaniDat
n19:2014
n5:domaciTvurceVysledku
n7:1116029 n7:6724264 n7:1388428 n7:4243757
n5:druhVysledku
n6:Z%2FB
n5:duvernostUdaju
n14:C
n5:ekonomickeParametry
JEDNOTKOVÁ CENA 60 USD/STANDARDNÍ BGSOI DESKA (PRŮMĚR 150 mm), očekávaný roční objem výroby min. 5 tis. Desek.
n5:entitaPredkladatele
n20:predkladatel
n5:idSjednocenehoVysledku
96883
n5:idVysledku
RIV/26821532:_____/13:#0000066
n5:interniIdentifikace
BGSOI-CZ2-ZKZ12/59
n5:jazykVysledku
n16:cze
n5:kategorie
n10:B
n5:klicovaSlova
Silicon, Silicon-On-Insulator, SOI, BGSOI, Polishing, Grinding, Semiconductor
n5:klicoveSlovo
n12:SOI n12:Silicon n12:BGSOI n12:Silicon-On-Insulator n12:Grinding n12:Semiconductor n12:Polishing
n5:kontrolniKodProRIV
[02EA84A106E2]
n5:licencniPoplatek
n9:A
n5:obor
n15:JA
n5:pocetDomacichTvurcuVysledku
4
n5:pocetTvurcuVysledku
4
n5:projekt
n17:TA01010078
n5:rokUplatneniVysledku
n19:2013
n5:technickeParametry
DEVICE LAYER 2-120 um, RADIÁLNÍ VARIABILITA +/-0.5um, BOX 100-2000 nm, WAFER DIAMETER 150 a 200 mm, SPECIFIKACE LEŠTĚNĚ DESKY PRO POLOVODODIČOVĚ APLIKACE. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.
n5:tvurceVysledku
Válek, Lukáš Šik, Jan Lorenc, Michal Pospíšil, Miloš
n5:vlastnik
n20:vlastnikVysledku
n5:vyuzitiJinymSubjektem
n18:A