This HTML5 document contains 43 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

Prefix	IRI
dcterms	http://purl.org/dc/terms/
n18	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n9	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n7	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n20	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n6	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n4	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
skos	http://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n13	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/licencniPoplatek/
n19	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F26821532%3A_____%2F11%3A%230000030%21RIV12-TA0-26821532/
n2	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdf	http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n15	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/kategorie/
n11	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiJinymSubjektem/
n5	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n10	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdh	http://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n16	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n14	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n8	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n12	http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item

n2:RIV%2F26821532%3A_____%2F11%3A%230000030%21RIV12-TA0-26821532

rdf:type

n6:Vysledek skos:Concept

dcterms:description

Prototype (sample) of advanced Silicon-On-Insulator (SOI) structure based on <110> substrate. SOI wafer diameter 150 mm, thickness 525 or 625 um, crystallographic orientation <110>, BOX 620 nm, device layer thickness 3 um, device layer thickness variability +/- 0.5 um. Prototype (sample) of advanced Silicon-On-Insulator (SOI) structure based on <110> substrate. SOI wafer diameter 150 mm, thickness 525 or 625 um, crystallographic orientation <110>, BOX 620 nm, device layer thickness 3 um, device layer thickness variability +/- 0.5 um.

dcterms:title

I3T/SOI<110> I3T/SOI<110>

skos:prefLabel

I3T/SOI<110> I3T/SOI<110>

skos:notation

RIV/26821532:_____/11:#0000030!RIV12-TA0-26821532

n6:predkladatel

n7:ico%3A26821532

n4:aktivita

n14:P

n4:aktivity

P(TA01010078)

n4:dodaniDat

n12:2012

n4:domaciTvurceVysledku

n9:4243757 n9:1116029

n4:druhVysledku

n20:G%2FB

n4:duvernostUdaju

n10:C

n4:ekonomickeParametry

Jednotková cena SOI desky pod 60 USD s potenciálem zvýšení výroby, exportu i zisku (plánované uplatnění výsledku od roku 2012-13).

n4:entitaPredkladatele

n19:predkladatel

n4:idSjednocenehoVysledku

206023

n4:idVysledku

RIV/26821532:_____/11:#0000030

n4:interniIdentifikace

I3T/SOI<110>

n4:jazykVysledku

n16:eng

n4:kategorie

n15:A

n4:klicovaSlova

SOI; Silicon; Silicon-On-Insulator; Wafer; Bonding

n4:klicoveSlovo

n5:Silicon n5:SOI n5:Wafer n5:Bonding n5:Silicon-On-Insulator

n4:kontrolniKodProRIV

[1DEDCD8EA749]

n4:licencniPoplatek

n13:A

n4:lokalizaceVysledku

ON SEMICONDUCTOR, Rožnov pod Radhoštěm - ONCR/RDCE/BUDOVA V12

n4:obor

n8:JA

n4:pocetDomacichTvurcuVysledku

2

n4:pocetTvurcuVysledku

2

n4:projekt

n18:TA01010078

n4:rokUplatneniVysledku

n12:2011

n4:technickeParametry

SOI: Substrát: průměr 150mm <110> Si:B 525 or 625 um, BOX 620 +/- 10 nm, aktivní vrstva Si:B (100) 3 um +/- 0.5um.

n4:tvurceVysledku

Pospíšil, Miloš Lorenc, Michal

n4:vlastnik

n19:vlastnikVysledku

n4:vyuzitiJinymSubjektem

n11:A