This HTML5 document contains 45 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F26821532%3A_____%2F11%3A%230000029%21RIV12-TA0-26821532/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/licencniPoplatek/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/kategorie/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiJinymSubjektem/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n19http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F26821532%3A_____%2F11%3A%230000029%21RIV12-TA0-26821532
rdf:type
skos:Concept n11:Vysledek
dcterms:description
Prototype (sample) – V001/TA01010078 - of advanced Silicon-On-Insulator (SOI) structure for High-Frequency-Voltage-Regulators. SOI wafer diameter 150 mm, substrate heavily doped by Phosphorus (<0.002 ohmcm) thickness 525 um, BOX 620 nm, device layer thickness 1.5 um, device layer thickness variability +/- 0.3 um. Prototype (sample) – V001/TA01010078 - of advanced Silicon-On-Insulator (SOI) structure for High-Frequency-Voltage-Regulators. SOI wafer diameter 150 mm, substrate heavily doped by Phosphorus (<0.002 ohmcm) thickness 525 um, BOX 620 nm, device layer thickness 1.5 um, device layer thickness variability +/- 0.3 um.
dcterms:title
HFVR/SOI HFVR/SOI
skos:prefLabel
HFVR/SOI HFVR/SOI
skos:notation
RIV/26821532:_____/11:#0000029!RIV12-TA0-26821532
n11:predkladatel
n12:ico%3A26821532
n3:aktivita
n18:P
n3:aktivity
P(TA01010078)
n3:dodaniDat
n19:2012
n3:domaciTvurceVysledku
n10:8906793 n10:1116029 n10:4243757
n3:druhVysledku
n16:G%2FB
n3:duvernostUdaju
n13:C
n3:ekonomickeParametry
Jednotková cena SOI desky pod 100 USD s potenciálem zvýšení výroby, exportu i zisku (plánované uplatnění výsledku od roku 2013).
n3:entitaPredkladatele
n6:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
201982
n3:idVysledku
RIV/26821532:_____/11:#0000029
n3:interniIdentifikace
V001/TA01010078 (W660S00)
n3:jazykVysledku
n20:eng
n3:kategorie
n5:A
n3:klicovaSlova
SOI; Silicon; Wafer; Silicon-On-Insulator; Bonding
n3:klicoveSlovo
n4:Wafer n4:Bonding n4:Silicon n4:Silicon-On-Insulator n4:SOI
n3:kontrolniKodProRIV
[E600B9759ACF]
n3:licencniPoplatek
n17:A
n3:lokalizaceVysledku
ON SEMICONDUCTOR, Rožnov pod Radhoštěm - ONCR/RDCE/BUDOVA V12
n3:obor
n8:JA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
3
n3:pocetTvurcuVysledku
3
n3:projekt
n7:TA01010078
n3:rokUplatneniVysledku
n19:2011
n3:technickeParametry
SOI: Substrát: průměr 150mm (100) Si:P (<2 mohmcm) 525 um, BOX 620 +/- 10 nm, aktivní vrstva Si:B (100) 1.5 um +/- 0.3um
n3:tvurceVysledku
Kostelník, Petr Lorenc, Michal Pospíšil, Miloš
n3:vlastnik
n6:vlastnikVysledku
n3:vyuzitiJinymSubjektem
n9:A