"doping; GaN, thin layers; MOVPE"@en . "Sedmidubsk\u00FD, David" . "Huber, \u0160t\u011Bp\u00E1n" . . . "2012-04-23+02:00"^^ . "V tomto p\u0159\u00EDsp\u011Bvku se zab\u00FDv\u00E1me r\u016Fstem vrstev Ga1-xMnxN metodou MOVPE. Manganem dopovan\u00E9 vrstvy jsme nech\u00E1vali r\u016Fst na saf\u00EDrov\u00FDch substr\u00E1tech v k\u0159emenn\u00E9m reaktoru. Jako prekurzor manganu pro depozici vrstev Ga1-xMnxN byl pou\u017Eit (MCp)2Mn. Jeho pr\u016Ftok byl udr\u017Eov\u00E1n v rozmez\u00ED 0,2 - 3,2 m\u00FDmol?min-1. Samotn\u00E1 depozice prob\u00EDhala p\u0159i tlaku 200 mbar, teplot\u011B 1050 \u00B0C a mol\u00E1rn\u00EDm pom\u011Bru V/III 1360. Pro p\u0159\u00EDpravu kvalitn\u00EDch Mn dopovan\u00FDch vrstev bylo pot\u0159eba nejprve nechat nar\u016Fst spojitou n\u00EDzkoteplotn\u00ED mezivrstvu nedopovan\u00E9ho GaN. Depozice vrstev Ga1-xMnxN na mezivrstv\u011B GaN, na kter\u00E9 nedo\u0161lo k \u00FApln\u00E9mu p\u0159echodu na dvourozm\u011Brn\u00FD r\u016Fst, vedla k trojrozm\u011Brn\u00E9mu r\u016Fstu b\u011Bhem cel\u00E9ho depozi\u010Dn\u00EDho procesu. Rovn\u011B\u017E jsme se zab\u00FDvali vlivem dus\u00EDku v nosn\u00E9m plynu na vlastnosti vrstev. Mno\u017Estv\u00ED dus\u00EDku z\u00E1sadn\u011B ovlivnilo koncentraci Mn. Vrstvy byly charakterizov\u00E1ny z hlediska slo\u017Een\u00ED, povrchov\u00E9 morfologie a magnetick\u00FDch vlastnost\u00ED. Na p\u0159ipraven\u00FDch vrstv\u00E1ch byl pozorov\u00E1n t\u00E9m\u011B\u0159 konstantn\u00ED feromagnetick\u00FD moment p\u0159etrv\u00E1vaj\u00EDc\u00ED a\u017E do pokojov\u00E9 teploty." . . "Sofer, Zden\u011Bk" . "978-80-02-02376-0" . . "PCHE - PetroCHemEng, Praha" . . "5"^^ . "[54B1B0F31AF6]" . "Jankovsk\u00FD, Ond\u0159ej" . "V tomto p\u0159\u00EDsp\u011Bvku se zab\u00FDv\u00E1me r\u016Fstem vrstev Ga1-xMnxN metodou MOVPE. Manganem dopovan\u00E9 vrstvy jsme nech\u00E1vali r\u016Fst na saf\u00EDrov\u00FDch substr\u00E1tech v k\u0159emenn\u00E9m reaktoru. Jako prekurzor manganu pro depozici vrstev Ga1-xMnxN byl pou\u017Eit (MCp)2Mn. Jeho pr\u016Ftok byl udr\u017Eov\u00E1n v rozmez\u00ED 0,2 - 3,2 m\u00FDmol?min-1. Samotn\u00E1 depozice prob\u00EDhala p\u0159i tlaku 200 mbar, teplot\u011B 1050 \u00B0C a mol\u00E1rn\u00EDm pom\u011Bru V/III 1360. Pro p\u0159\u00EDpravu kvalitn\u00EDch Mn dopovan\u00FDch vrstev bylo pot\u0159eba nejprve nechat nar\u016Fst spojitou n\u00EDzkoteplotn\u00ED mezivrstvu nedopovan\u00E9ho GaN. Depozice vrstev Ga1-xMnxN na mezivrstv\u011B GaN, na kter\u00E9 nedo\u0161lo k \u00FApln\u00E9mu p\u0159echodu na dvourozm\u011Brn\u00FD r\u016Fst, vedla k trojrozm\u011Brn\u00E9mu r\u016Fstu b\u011Bhem cel\u00E9ho depozi\u010Dn\u00EDho procesu. Rovn\u011B\u017E jsme se zab\u00FDvali vlivem dus\u00EDku v nosn\u00E9m plynu na vlastnosti vrstev. Mno\u017Estv\u00ED dus\u00EDku z\u00E1sadn\u011B ovlivnilo koncentraci Mn. Vrstvy byly charakterizov\u00E1ny z hlediska slo\u017Een\u00ED, povrchov\u00E9 morfologie a magnetick\u00FDch vlastnost\u00ED. Na p\u0159ipraven\u00FDch vrstv\u00E1ch byl pozorov\u00E1n t\u00E9m\u011B\u0159 konstantn\u00ED feromagnetick\u00FD moment p\u0159etrv\u00E1vaj\u00EDc\u00ED a\u017E do pokojov\u00E9 teploty."@cs . "161806" . . . . "RIV/60461373:22310/12:43894209" . "\u0160imek, Petr" . "\u0160an\u011Bk, Filip" . "RIV/60461373:22310/12:43894209!RIV13-GA0-22310___" . "P\u0159\u00EDprava a charakterizace vrstev GaN dopovan\u00FDch manganem metodou MOVPE" . . "Kouty nad Desnou" . "22310" . . . . . . "P(GA104/09/0621), P(GA106/09/0125), S, Z(MSM6046137302)" . "Praha" . . . "Preparation and characterization of GaN layers doped with manganese prepared by MOVPE"@en . "P\u0159\u00EDprava a charakterizace vrstev GaN dopovan\u00FDch manganem metodou MOVPE"@cs . "7"^^ . "P\u0159\u00EDprava a charakterizace vrstev GaN dopovan\u00FDch manganem metodou MOVPE" . . "Mikulics, M." . . . . . . . "Sborn\u00EDk 21. konference Aprochem 2012" . . . "P\u0159\u00EDprava a charakterizace vrstev GaN dopovan\u00FDch manganem metodou MOVPE"@cs . "This contribution deals with growth of layers of Ga1-xMnxN by the MOVPE method. The layers were gron on sapphire substrate in silicon reactor."@en . . "Preparation and characterization of GaN layers doped with manganese prepared by MOVPE"@en . . "6"^^ .