. . "1"^^ . "N\u00E1klady na v\u00FDrobu byly 130 000K\u010D. Doba v\u00FDvoje za\u0159\u00EDzen\u00ED p\u0159es\u00E1hla n\u011Bkolik set hodin. Za\u0159\u00EDzen\u00ED je vyu\u017E\u00EDv\u00E1no ke studiu r\u016Fstu Al a AlN ultratenk\u00FDch vrstev v UHV." . "This effusion cell is designed for deposition of ultrathin layers under UHV conditions. The material for evaporation is place in heated pBN crucible. Outer part of crucible is actively cooled to prevent Al diffusion outside the crucible."@en . . "1"^^ . . "26620" . . "RIV/00216305:26620/14:PR28106!RIV15-TA0-26620___" . . . "Za\u0159\u00EDzen\u00ED je ur\u010Deno pro depozici ultratenk\u00FDch Al vrstev v podm\u00EDnk\u00E1ch UHV. Vypa\u0159ovan\u00FD materi\u00E1l je um\u00EDst\u011Bn v PBN z\u00E1sobn\u00EDku. V\u00FDstupn\u00ED \u010D\u00E1st tohoto z\u00E1sobn\u00EDku je b\u011Bhem funkce zdroje aktivn\u011B ochlazov\u00E1na, co\u017E je velmi vhodn\u00E9 pro materi\u00E1ly s vysokou vzl\u00EDnavost\u00ED, jako je nap\u0159\u00EDklad zm\u00EDn\u011Bn\u00FD hlin\u00EDk. Oh\u0159ev z\u00E1sobn\u00EDku je realizov\u00E1n pr\u016Fchodem elektrick\u00E9ho proudu tantalov\u00FDm odporov\u00FDm dr\u00E1tem."@cs . "Al, effusion cell, ultrathin layers, UHV, deposition"@en . "Mach, Jind\u0159ich" . "RIV/00216305:26620/14:PR28106" . . "Al cela" . "Zdroj atom\u016F Al s radia\u010Dn\u00EDm oh\u0159evem"@cs . . . . . "P(TE01020233)" . . . . "Zdroj atom\u016F Al s radia\u010Dn\u00EDm oh\u0159evem" . . "Radiatively heated Al effesion cell"@en . "Za\u0159\u00EDzen\u00ED je ur\u010Deno pro depozici ultratenk\u00FDch Al vrstev v podm\u00EDnk\u00E1ch UHV. Vypa\u0159ovan\u00FD materi\u00E1l je um\u00EDst\u011Bn v PBN z\u00E1sobn\u00EDku. V\u00FDstupn\u00ED \u010D\u00E1st tohoto z\u00E1sobn\u00EDku je b\u011Bhem funkce zdroje aktivn\u011B ochlazov\u00E1na, co\u017E je velmi vhodn\u00E9 pro materi\u00E1ly s vysokou vzl\u00EDnavost\u00ED, jako je nap\u0159\u00EDklad zm\u00EDn\u011Bn\u00FD hlin\u00EDk. Oh\u0159ev z\u00E1sobn\u00EDku je realizov\u00E1n pr\u016Fchodem elektrick\u00E9ho proudu tantalov\u00FDm odporov\u00FDm dr\u00E1tem." . . "Zdroj atom\u016F Al s radia\u010Dn\u00EDm oh\u0159evem"@cs . . . "57232" . "http://surfaces.fme.vutbr.cz/laboratories/developed-instruments/2014-01/" . . "Zdroj atom\u016F Al s radia\u010Dn\u00EDm oh\u0159evem" . "Za\u0159\u00EDzen\u00ED je ur\u010Deno k depozici Al ultratenk\u00FDch vrstev v podm\u00EDnk\u00E1ch vysok\u00E9ho vakua od p>1x10-5 Pa. Oh\u0159ev depozitu je a\u017E do teplot 1200 C. T\u011Blo zdroje je vyhotoveno s F.O.Cu. a \u00FA\u010Dinn\u011B chlazeno vodou. Depozit je um\u00EDst\u011Bn v PBN z\u00E1sobn\u00EDku, kde \u00FAst\u00EDz\u00E1sobn\u00EDkuje aktivn\u011B chlazeno. Teplota zdroje i deponovan\u00E9ho materi\u00E1lu je m\u011B\u0159ena pomoc\u00ED termo\u010Dl\u00E1nku. Cel\u00E9 za\u0159\u00EDzen\u00ED je um\u00EDst\u011Bno na p\u0159\u00EDrub\u011B DN40." . "[53BA5863AD38]" . . "Radiatively heated Al effesion cell"@en .