. . "456"^^ . . "13"^^ . "Metastable point defects in semiconductors"@en . . "Metastabiln\u00ED bodov\u00E9 defekty v polovodi\u010D\u00EDch"@cs . . "0"^^ . "Bodov\u00E9 defekty, kter\u00E9 podl\u00E9haj\u00ED velk\u00E9 m\u0159\u00ED\u017Ekov\u00E9 relaxaci nebo distorsi a vykazuj\u00ED metastabiln\u00ED nebo bistabiln\u00ED vlastnosti pat\u0159\u00ED k zaj\u00EDmav\u011Bj\u0161\u00EDm efekt\u016Fm elektronfononov\u00E9 interakce. DX centrum v AlGaAs je jedn\u00EDm z bodov\u00FDch defekt\u016F s metastabiln\u00EDmi vlastnostmi, kter\u00FD vykazuje trvalou fotovodivost (PPC). Zat\u00EDm co v Te a Si dotovan\u00E9m Al(x)Ga(1-x)As byla PPC pozorov\u00E1na p\u0159i teplot\u00E1ch pod asi 120K v Sn dotovan\u00E9m Al(0.35)Ga(0. 65)As je fotovodivost jen dlouhodob\u00E1 a zanik\u00E1 z d\u016Fvodu tunelov\u00E1n\u00ED mezi dv\u011Bma n\u00E1bojov\u00FDmi stavy Sn-DX centra. Navrhujeme v\u00FDzkum Sn-DX center v Al(x)Ga(1-x)As s r\u016Fzn\u00FDm Al mol\u00E1rn\u00EDm pom\u011Brem x od 0.2 do 0.8. O\u010Dek\u00E1v\u00E1me, \u017Ee rychlost tunelov\u00E1n\u00ED se bude m\u011Bnit p\u0159i zm\u011Bn\u011B x. Bude vyu\u017Eito m\u011B\u0159en\u00ED kinetiky fotokapacity, foto-Hallova jevu a fotoluminescence p\u0159i r\u016Fzn\u00FDch teplot\u00E1ch do teploty kapaln\u00E9ho helia."@cs . . . ""@en . . "1"^^ . "0"^^ . "456"^^ . . "13"^^ .