This HTML5 document contains 54 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n8http://localhost/temp/predkladatel/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68407700%3A21670%2F07%3A15142578%21RIV08-GA0-21670___/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n11http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68407700%3A21670%2F07%3A15142578%21RIV08-GA0-21670___
rdf:type
n19:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
Hechtův model popisuje účinnost sběru náboje v polovodičových detektorech pomocí střední volné dráhy nosičů náboje. Zatímco tento model odpovídá naměřeným datům v případě radiačně nepoškozených detektorů, jeho modifikace jsou nezbytné pro zahrnutí strukturálních změn v detektorech indukovaných jejich expozicí v silném toku částic. Modifikovaný model je prezentován. Střední volná dráha v tomto modelu závisí na tvaru elektrického pole a na dobách života nosučů náboje. Doby života byly měřeny experimentálně z iluminace předních a zadních stěn detektorů jak pulzním laserem o vlnové délce 660 nm tak částicemi alfa emitovanými radionuklidem 241Am. Tento modifikovaný Hechtův model byl úspěšně použit pro analýzu účinností sběru náboje indukovaného částicemi alfa a beta ve standardních i okysličených křemíkových detektorech po jejich ozáření protony s energií 10 MeV a fluencemi z intervalu od 1011 po 3x1014 p/cm2. The Hecht model describes the charge collection efficiency of semiconductor detectors using the mean free path of the charge carriers. While the fits to data are very good for non-irradiated detectors, modifications to the model are necessary to take into account the structural changes in the detectors induced by their exposure to high particle fluences. A modified model is presented. In this model, the mean free path depends on the shape of the electric field and on the charge carrier lifetimes. The lifetimes were measured experimentally from the front- and back-illuminations of the detectors by 660nm laser light and by particles from a 241Am source. This new Hecht model was successfully fitted to alpha and beta charge collection efficiencies of standard and oxygenated silicon detectors after their irradiation by 10MeV protons with fluences varying from 1011 to 3x1014 p/cm2. The Hecht model describes the charge collection efficiency of semiconductor detectors using the mean free path of the charge carriers. While the fits to data are very good for non-irradiated detectors, modifications to the model are necessary to take into account the structural changes in the detectors induced by their exposure to high particle fluences. A modified model is presented. In this model, the mean free path depends on the shape of the electric field and on the charge carrier lifetimes. The lifetimes were measured experimentally from the front- and back-illuminations of the detectors by 660nm laser light and by particles from a 241Am source. This new Hecht model was successfully fitted to alpha and beta charge collection efficiencies of standard and oxygenated silicon detectors after their irradiation by 10MeV protons with fluences varying from 1011 to 3x1014 p/cm2.
dcterms:title
Modified Hecht Model qualifying Radiation Damage in Standard and Oxygenated Silicon Detectors from 10MeV Protons Modifikovaný Hechtův model kvalifikující radiační poškození ve standardních a okysličených křemíkových detektorech poškozených protony o energii 10 MeV Modified Hecht Model qualifying Radiation Damage in Standard and Oxygenated Silicon Detectors from 10MeV Protons
skos:prefLabel
Modified Hecht Model qualifying Radiation Damage in Standard and Oxygenated Silicon Detectors from 10MeV Protons Modified Hecht Model qualifying Radiation Damage in Standard and Oxygenated Silicon Detectors from 10MeV Protons Modifikovaný Hechtův model kvalifikující radiační poškození ve standardních a okysličených křemíkových detektorech poškozených protony o energii 10 MeV
skos:notation
RIV/68407700:21670/07:15142578!RIV08-GA0-21670___
n3:strany
75;79
n3:aktivita
n5:Z n5:P
n3:aktivity
P(1P04LA211), P(1P04LA212), P(GA202/04/1395), Z(MSM6840770029)
n3:cisloPeriodika
1
n3:dodaniDat
n11:2008
n3:domaciTvurceVysledku
n14:4881931 n14:9985522
n3:druhVysledku
n18:J
n3:duvernostUdaju
n12:S
n3:entitaPredkladatele
n7:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
434743
n3:idVysledku
RIV/68407700:21670/07:15142578
n3:jazykVysledku
n16:eng
n3:klicovaSlova
10MeV protons irradiation; Charge collection efficiency; Hecht model; Radiation damage; Silicon detectors
n3:klicoveSlovo
n6:Radiation%20damage n6:Hecht%20model n6:Charge%20collection%20efficiency n6:10MeV%20protons%20irradiation n6:Silicon%20detectors
n3:kodStatuVydavatele
NL - Nizozemsko
n3:kontrolniKodProRIV
[050EB4C69A12]
n3:nazevZdroje
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A, Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
n3:obor
n15:BG
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
2
n3:pocetTvurcuVysledku
7
n3:projekt
n10:GA202%2F04%2F1395 n10:1P04LA211 n10:1P04LA212
n3:rokUplatneniVysledku
n11:2007
n3:svazekPeriodika
576
n3:tvurceVysledku
Leroy, C. Linhart, Vladimír Charron, S. Houdayer, A. Lebel, L. Pospíšil, Stanislav Charbonnier, S.
n3:zamer
n13:MSM6840770029
s:issn
0168-9002
s:numberOfPages
5
n8:organizacniJednotka
21670