This HTML5 document contains 43 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n13http://localhost/temp/predkladatel/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n19https://schema.org/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/kodPristupu/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n14http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68407700%3A21340%2F05%3A04116669%21RIV06-MSM-21340___/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68407700%3A21340%2F05%3A04116669%21RIV06-MSM-21340___
rdf:type
skos:Concept n15:Vysledek
dcterms:description
Zkoumali jsme deposici mikrokrystalického křemíku mikrovlnnou technikou PECVD. MWPECVD je vynikající prostředek ke zprostředkování rychlé depozice křemíku při nízkých teplotách, nicméně, tento rychlý růst je často doprovázen vysokou porositou. Za účelem dosažení celistvosti křemíkových vrstev jsme zkoumali parametry prostoru rozsáhlé depozice. We investigated the deposition of c-Si by microwave PECVD. MWPECVD is an excellent tool for fast deposition of silicon at low temperatures, however, this fast growth is often accompanied with high porosity. In order to obtain dense Si layers we investigated a large deposition parameter space. We investigated the deposition of c-Si by microwave PECVD. MWPECVD is an excellent tool for fast deposition of silicon at low temperatures, however, this fast growth is often accompanied with high porosity. In order to obtain dense Si layers we investigated a large deposition parameter space.
dcterms:title
Optical and Structural Properties of Microcrystalline Silicon, Grown by Microwave PECVD Optické a strukturní vlastnosti mikrokrystalického křemíku, vyrobeného mikrovlnnou PECVD Optical and Structural Properties of Microcrystalline Silicon, Grown by Microwave PECVD
skos:prefLabel
Optické a strukturní vlastnosti mikrokrystalického křemíku, vyrobeného mikrovlnnou PECVD Optical and Structural Properties of Microcrystalline Silicon, Grown by Microwave PECVD Optical and Structural Properties of Microcrystalline Silicon, Grown by Microwave PECVD
skos:notation
RIV/68407700:21340/05:04116669!RIV06-MSM-21340___
n4:aktivita
n8:Z
n4:aktivity
Z(MSM6840770021)
n4:dodaniDat
n14:2006
n4:domaciTvurceVysledku
n5:4025326
n4:druhVysledku
n16:A
n4:duvernostUdaju
n18:S
n4:entitaPredkladatele
n11:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
534683
n4:idVysledku
RIV/68407700:21340/05:04116669
n4:jazykVysledku
n17:eng
n4:klicovaSlova
Micro crystalline Silicon PECVD Optical Properties
n4:klicoveSlovo
n10:Micro%20crystalline%20Silicon%20PECVD%20Optical%20Properties
n4:kodPristupu
n6:L
n4:kontrolniKodProRIV
[8A9144E3A633]
n4:mistoVydani
München
n4:nosic
neuvedeno
n4:obor
n12:BM
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n4:pocetTvurcuVysledku
8
n4:rokUplatneniVysledku
n14:2005
n4:tvurceVysledku
Bierbericher, A. Hoďáková, Lenka Muffler, H. Soppe, W. Devilee, G. Vanecek, M. Poruba, A. Burgers, A.
n4:zamer
n7:MSM6840770021
n19:isbn
3-936338-19-1
n13:organizacniJednotka
21340