This HTML5 document contains 44 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n16http://localhost/temp/predkladatel/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
shttp://schema.org/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00186061%21RIV12-MV0-21230___/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n17http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00186061%21RIV12-MV0-21230___
rdf:type
skos:Concept n7:Vysledek
dcterms:description
Hlavním cílem prezentované práce je návrh, modelování a charakterizace nových Mikro-Elektro-Mechanických Struktur (MEMS) na bázi GaAs a GaN, které jsou určeny pro vysokoteplotní detektory koncentrace plynů. Navržené systémy mohou detekovat plyny CO, H2, NOx a uhlovodíky. Teplotní a mechanické vlastnosti navržených GaN a GaAs MEMS struktur jsou porovnány s vlastnostmi struktur založených na křemíkových technologiích. Byla navržena nová výrobní MEMS technologie pro volnou strukturu zavěšeného GaN ostrůvku. Provozní teplota struktur na bázi GaN může dosahovat až 1000°C. Navržený technologický postup výroby je vhodný i pro integraci MESFET a HEMT tranzistorů, které mohou integrovány společně s MEMS strukturami Hlavním cílem prezentované práce je návrh, modelování a charakterizace nových Mikro-Elektro-Mechanických Struktur (MEMS) na bázi GaAs a GaN, které jsou určeny pro vysokoteplotní detektory koncentrace plynů. Navržené systémy mohou detekovat plyny CO, H2, NOx a uhlovodíky. Teplotní a mechanické vlastnosti navržených GaN a GaAs MEMS struktur jsou porovnány s vlastnostmi struktur založených na křemíkových technologiích. Byla navržena nová výrobní MEMS technologie pro volnou strukturu zavěšeného GaN ostrůvku. Provozní teplota struktur na bázi GaN může dosahovat až 1000°C. Navržený technologický postup výroby je vhodný i pro integraci MESFET a HEMT tranzistorů, které mohou integrovány společně s MEMS strukturami The main aim of presented work is design, modeling and characterization of novel Micro-Electro-Mechanical Structures (MEMS) based on GaAs and GaN, which are designed for high concentrations of gas detectors.
dcterms:title
Vysokoteplotní MEMS struktury pro měření koncentrace plynů CO, H2, NOx a uhlovodíků Vysokoteplotní MEMS struktury pro měření koncentrace plynů CO, H2, NOx a uhlovodíků MEMS structures for high temperature measurement of gas concentrations of CO, H2, NOx and hydrocarbons
skos:prefLabel
MEMS structures for high temperature measurement of gas concentrations of CO, H2, NOx and hydrocarbons Vysokoteplotní MEMS struktury pro měření koncentrace plynů CO, H2, NOx a uhlovodíků Vysokoteplotní MEMS struktury pro měření koncentrace plynů CO, H2, NOx a uhlovodíků
skos:notation
RIV/68407700:21230/11:00186061!RIV12-MV0-21230___
n7:predkladatel
n8:orjk%3A21230
n5:aktivita
n12:P
n5:aktivity
P(GA102/09/1601), P(VG20102015015)
n5:cisloPeriodika
3
n5:dodaniDat
n17:2012
n5:domaciTvurceVysledku
n13:7043104
n5:druhVysledku
n14:J
n5:duvernostUdaju
n15:S
n5:entitaPredkladatele
n6:predkladatel
n5:idSjednocenehoVysledku
240283
n5:idVysledku
RIV/68407700:21230/11:00186061
n5:jazykVysledku
n19:cze
n5:klicovaSlova
MEMS senzor; Gas sensor; MEMS
n5:klicoveSlovo
n11:Gas%20sensor n11:MEMS%20senzor n11:MEMS
n5:kodStatuVydavatele
CZ - Česká republika
n5:kontrolniKodProRIV
[0F77DEF2ABA8]
n5:nazevZdroje
Slaboproudý obzor
n5:obor
n18:JA
n5:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n5:pocetTvurcuVysledku
3
n5:projekt
n10:GA102%2F09%2F1601 n10:VG20102015015
n5:rokUplatneniVysledku
n17:2011
n5:svazekPeriodika
67
n5:tvurceVysledku
Jakovenko, Jiří Husák, Miroslav Lalinsky, T.
s:issn
0037-668X
s:numberOfPages
4
n16:organizacniJednotka
21230