This HTML5 document contains 47 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n6http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00391045%21RIV13-AV0-68378271/
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
n9https://schema.org/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n8http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00391045%21RIV13-AV0-68378271
rdf:type
skos:Concept n10:Vysledek
dcterms:description
Vzorky polykrystalických křemíkových (poly-Si) solárních článků vyrobené firmou CSG Solar byly pasivovány ve vodní páře. Solární články po pasivaci připomínaly svým vzhledem články leptané ve směsi kyselin běžně používané na odstranění vrchní p+ vrstvy pro kontaktování spodní n+ vrstvy. Ačkoliv nebylo pozorováno výraznější zlepšení napětí naprázdno Voc, leptací efekt poly-Si ve vodě může stanovit horní hranice teploty, tlaku a doby vhodné pro pasivaci s minimálním negativním dopadem na článek. V neposlední řadě je prezentován také inovativní způsob kontaktování spodní n+ vrstvy na skle pro měření volt-ampérových charakteristik Suns-Voc metodou. Samples of thin film polycrystalline silicon solar cells prepared by the Company CSG Solar AG were treated in water vapour. Appearance of treated solar cells was very similar to samples etched in a solution of acids, which is commonly used to approach the bottom part of pn junction. No significant improvement of measured open-circuit voltage Voc was observed, but the etching effect of water vapour can determine the upper limit of temperature, pressure and treatment time for water vapour passivation. Novel approach for preparation of a depth profile to approach the bottom part of pn junction is proposed. Vzorky polykrystalických křemíkových (poly-Si) solárních článků vyrobené firmou CSG Solar byly pasivovány ve vodní páře. Solární články po pasivaci připomínaly svým vzhledem články leptané ve směsi kyselin běžně používané na odstranění vrchní p+ vrstvy pro kontaktování spodní n+ vrstvy. Ačkoliv nebylo pozorováno výraznější zlepšení napětí naprázdno Voc, leptací efekt poly-Si ve vodě může stanovit horní hranice teploty, tlaku a doby vhodné pro pasivaci s minimálním negativním dopadem na článek. V neposlední řadě je prezentován také inovativní způsob kontaktování spodní n+ vrstvy na skle pro měření volt-ampérových charakteristik Suns-Voc metodou.
dcterms:title
Pasivace poly-Si tenkovrstvých solárních článků ve vodní páře Pasivace poly-Si tenkovrstvých solárních článků ve vodní páře Annealing of thin film polycrystalline silicon solar cells in water vapour
skos:prefLabel
Pasivace poly-Si tenkovrstvých solárních článků ve vodní páře Pasivace poly-Si tenkovrstvých solárních článků ve vodní páře Annealing of thin film polycrystalline silicon solar cells in water vapour
skos:notation
RIV/68378271:_____/12:00391045!RIV13-AV0-68378271
n10:predkladatel
n18:ico%3A68378271
n3:aktivita
n19:Z
n3:aktivity
Z(AV0Z10100521)
n3:dodaniDat
n8:2013
n3:domaciTvurceVysledku
n16:3750299 n16:8833451
n3:druhVysledku
n14:D
n3:duvernostUdaju
n21:S
n3:entitaPredkladatele
n12:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
157909
n3:idVysledku
RIV/68378271:_____/12:00391045
n3:jazykVysledku
n15:cze
n3:klicovaSlova
thin film; solar cell; polycrystalline silicon; water vapour; grain boundary; Suns-Voc
n3:klicoveSlovo
n4:Suns-Voc n4:solar%20cell n4:polycrystalline%20silicon n4:water%20vapour n4:grain%20boundary n4:thin%20film
n3:kontrolniKodProRIV
[01D7D7EA7F29]
n3:mistoKonaniAkce
Brno
n3:mistoVydani
Rožnov pod Radhoštěm
n3:nazevZdroje
Proceedings of the 7th Czech Photovoltaic Conference
n3:obor
n17:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
2
n3:pocetTvurcuVysledku
2
n3:rokUplatneniVysledku
n8:2012
n3:tvurceVysledku
Fejfar, Antonín Pikna, Peter
n3:typAkce
n7:CST
n3:zahajeniAkce
2012-05-03+02:00
n3:zamer
n13:AV0Z10100521
s:numberOfPages
5
n6:hasPublisher
Czech RE Agency
n9:isbn
978-80-260-2232-9