This HTML5 document contains 55 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/statVydaniPatentuVzoru/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n22http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/uzemniOchranaPatentu/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiPatentuVzoru/
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/licencniPoplatek/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00354185%21RIV13-AV0-68378271/
n23http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiJinymSubjektem/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n4http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00354185%21RIV13-AV0-68378271
rdf:type
n5:Vysledek skos:Concept
rdfs:seeAlso
http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/301/301824.pdf
dcterms:description
Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů v tenké vrstvě amorfního křemíku nanesené na kovové podložce probíhá za pomoci procesu krystalizace z pevné fáze indukované kovem a podpořené elektrickým polem (FE-MISPC). Tento způsob je charakteristický tím, že se na vrstvu amorfního křemíku přiloží nejméně jeden zahrocený kontakt z elektricky vodivého materiálu, načež se indukuje průchod elektrického proudu mezi tímto kontaktem a kovovou podložkou. Přitom se reguluje úroveň procházejícího proudu a dávkování elektrické energie do vzorku. Takto lze dosáhnout křemíkových krystalů i menších než 100 nm, a to i při běžné pokojové teplotě. Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů v tenké vrstvě amorfního křemíku nanesené na kovové podložce probíhá za pomoci procesu krystalizace z pevné fáze indukované kovem a podpořené elektrickým polem (FE-MISPC). Tento způsob je charakteristický tím, že se na vrstvu amorfního křemíku přiloží nejméně jeden zahrocený kontakt z elektricky vodivého materiálu, načež se indukuje průchod elektrického proudu mezi tímto kontaktem a kovovou podložkou. Přitom se reguluje úroveň procházejícího proudu a dávkování elektrické energie do vzorku. Takto lze dosáhnout křemíkových krystalů i menších než 100 nm, a to i při běžné pokojové teplotě. Fabrication of isolated groups of microscopic silicon crystals in a thin film of amorphous silicon deposited on a metal substrates is done by employing field-enhanced metal-induced solid-phase crystallization process. This process is specific by the procedure that at least one tip-like contact from electrically conductive material is positioned on the amorphous silicon thin film and a flow of electrical current between the contact and metal substrates is induced thereafter. The current amplitude and energy dose to the sample is controlled. In this way one can fabricate silicon crystals smaller than 100 nm, even at room temperature. Growth of the crystals is accompanied by a formation of microscopic pits in the thin film.
dcterms:title
Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů Method of making isolated groups of microscopic silicon crystals Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů
skos:prefLabel
Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů Method of making isolated groups of microscopic silicon crystals Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů
skos:notation
RIV/68378271:_____/10:00354185!RIV13-AV0-68378271
n3:aktivita
n21:P n21:Z
n3:aktivity
P(KAN400100701), P(LC06040), P(LC510), Z(AV0Z10100521)
n3:cisloPatentuVzoru
301824
n3:datumUdeleniPatentuVzoru
2010-05-24+02:00
n3:dodaniDat
n4:2013
n3:domaciTvurceVysledku
n6:9994602 n6:6810756 n6:7483155 n6:9273158
n3:druhVysledku
n10:P
n3:duvernostUdaju
n8:S
n3:entitaPredkladatele
n9:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
300549
n3:idVysledku
RIV/68378271:_____/10:00354185
n3:jazykVysledku
n11:cze
n3:klicovaSlova
silicon; nanocrystals; crystallization
n3:klicoveSlovo
n15:nanocrystals n15:silicon n15:crystallization
n3:kontrolniKodProRIV
[645B24723F10]
n3:licencniPoplatek
n16:N
n3:mistoVydaniPatentuVzoru
Prague
n3:nazevVydavatelePatentuVzoru
Úřad průmyslového vlastnictví
n3:obor
n18:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
4
n3:pocetTvurcuVysledku
4
n3:projekt
n7:LC510 n7:LC06040 n7:KAN400100701
n3:rokUplatneniVysledku
n4:2010
n3:statVydaniPatentuVzoru
n19:CZ
n3:tvurceVysledku
Rezek, Bohuslav Šípek, Emil Kočka, Jan Stuchlík, Jiří
n3:uzemniOchranaPatentu
n22:E
n3:vlastnik
n9:vlastnikVysledku
n3:vyuzitiJinymSubjektem
n23:A
n3:vyuzitiPatentuVzoru
n17:B
n3:zamer
n20:AV0Z10100521
n3:vlastnikPatentuVzoru
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Praha 8,CZ