This HTML5 document contains 58 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00324998%21RIV09-AV0-68378271/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n13http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00324998%21RIV09-AV0-68378271
rdf:type
n16:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
Pomocí experimentů optické excitace - terahertzového sondování byla studována série tenkých vrstev mikrokrystalického křemíku s strukturou měnící se od amorfní po zcela mikrokrystalickou. Vzorky byly opticky excitovány na vlnových délkách 800 a 400 nm a jejich odezva byla měřena až do nízkých teplot (20 K). Vlastnosti nanoskopického transportu náboje se výrazně mění na sub-pikosekundové časové škále. Počáteční fotovodivost vzorků je určena zejména horkými volnými nositeli náboje s pohyblivostí 70 cm2/Vs. Tito nositelé jsou rychle (0.6 ps) zachyceny do slabě lokalizovaných hoppingových stavů. Hoppingový transport pak určuje tvar terahertzových spekter na pikosekundové a sub-nanosekundové škále. Saturovaná vysokofrekvenční hodnota hoppingové pohyblivosti je určena mikroskopickou neuspořádaností amorfního vzorku a elektron-fononovou interakcí v mikrokrystalických vzorcích. We present the results of optical pump - terahertz probe experiments applied to a set of thin film microcrystalline silicon samples, with structures varying from amorphous to fully microcrystalline. The samples were excited at wavelengths 800 and 400 nm and studied at temperatures down to 20 K. The character of nanoscopic electrical transport properties markedly change on a sub-picosecond time scale. The initial transient photoconductivity of the samples is dominated by hot free carriers with a mobility of 70 cm2/Vs. These carriers are rapidly (within 0.6 ps) trapped into weakly localized hopping states. The hopping process dominates the THz spectra on the picosecond and sub-ns time scales. The saturated high-frequency value of the hopping mobility is limited by the sample disorder in the amorphous sample and by electron-phonon interaction for microcrystalline samples. We present the results of optical pump - terahertz probe experiments applied to a set of thin film microcrystalline silicon samples, with structures varying from amorphous to fully microcrystalline. The samples were excited at wavelengths 800 and 400 nm and studied at temperatures down to 20 K. The character of nanoscopic electrical transport properties markedly change on a sub-picosecond time scale. The initial transient photoconductivity of the samples is dominated by hot free carriers with a mobility of 70 cm2/Vs. These carriers are rapidly (within 0.6 ps) trapped into weakly localized hopping states. The hopping process dominates the THz spectra on the picosecond and sub-ns time scales. The saturated high-frequency value of the hopping mobility is limited by the sample disorder in the amorphous sample and by electron-phonon interaction for microcrystalline samples.
dcterms:title
Ultrafast carrier dynamics in microcrystalline silicon probed by time-resolved terahertz spectroscopy Ultrarychlá dynamika nositelů náboje v mikrokrystalickém křemíku studovaná pomocí časově rozlišené terahertzové spektroskopie Ultrafast carrier dynamics in microcrystalline silicon probed by time-resolved terahertz spectroscopy
skos:prefLabel
Ultrafast carrier dynamics in microcrystalline silicon probed by time-resolved terahertz spectroscopy Ultrarychlá dynamika nositelů náboje v mikrokrystalickém křemíku studovaná pomocí časově rozlišené terahertzové spektroskopie Ultrafast carrier dynamics in microcrystalline silicon probed by time-resolved terahertz spectroscopy
skos:notation
RIV/68378271:_____/09:00324998!RIV09-AV0-68378271
n3:aktivita
n11:Z n11:P
n3:aktivity
P(IAA100100902), P(LC06040), Z(AV0Z10100520), Z(AV0Z10100521)
n3:cisloPeriodika
11
n3:dodaniDat
n13:2009
n3:domaciTvurceVysledku
n4:5379369 n4:6410235 n4:8638519 n4:1959050 Deyneka, Alexander n4:7483155 n4:3750299
n3:druhVysledku
n17:J
n3:duvernostUdaju
n14:S
n3:entitaPredkladatele
n18:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
347472
n3:idVysledku
RIV/68378271:_____/09:00324998
n3:jazykVysledku
n5:eng
n3:klicovaSlova
microcrystalline silicon; amorphous silicon; terahertz; ultrafast; photoconductivity
n3:klicoveSlovo
n8:terahertz n8:photoconductivity n8:amorphous%20silicon n8:ultrafast n8:microcrystalline%20silicon
n3:kodStatuVydavatele
US - Spojené státy americké
n3:kontrolniKodProRIV
[30A3FF79B95E]
n3:nazevZdroje
Physical Review. B
n3:obor
n6:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
7
n3:pocetTvurcuVysledku
7
n3:projekt
n10:LC06040 n10:IAA100100902
n3:rokUplatneniVysledku
n13:2009
n3:svazekPeriodika
79
n3:tvurceVysledku
Kadlec, Filip Stuchlík, Jiří Deyneka, Alexander Fekete, Ladislav Němec, Hynek Fejfar, Antonín Kužel, Petr
n3:wos
000264768900088
n3:zamer
n15:AV0Z10100520 n15:AV0Z10100521
s:issn
1098-0121
s:numberOfPages
13