This HTML5 document contains 50 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n20http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n19https://schema.org/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00320707%21RIV09-AV0-68378271/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n11http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00320707%21RIV09-AV0-68378271
rdf:type
skos:Concept n10:Vysledek
dcterms:description
Deep level transient spectroscopy (DLTS)measurements were carried out on silicon diodes prepared by Al-diffusion into n-type material. A simple method of correct assignment of the observed traps to either side of the junction was outlined and tested. Transientní spektroskopie hlubokých hladin (DLTS) byla použita ke studiu křemíkových diod připravených difúzí Al do materiálu typu n. Byla navržena a ověřena jednoduchá metoda umožňující správně přiřadit pozorované hladiny k oblastem typu n a p. Deep level transient spectroscopy (DLTS)measurements were carried out on silicon diodes prepared by Al-diffusion into n-type material. A simple method of correct assignment of the observed traps to either side of the junction was outlined and tested.
dcterms:title
Interpretation of the DLTS spectra of silicon p-n junctions prepared by diffusion technique Interpretation of the DLTS spectra of silicon p-n junctions prepared by diffusion technique Interpretace DLTS spekter p-n přechodů v křemíku připravených difúzní technologií
skos:prefLabel
Interpretace DLTS spekter p-n přechodů v křemíku připravených difúzní technologií Interpretation of the DLTS spectra of silicon p-n junctions prepared by diffusion technique Interpretation of the DLTS spectra of silicon p-n junctions prepared by diffusion technique
skos:notation
RIV/68378271:_____/08:00320707!RIV09-AV0-68378271
n4:aktivita
n14:Z n14:P
n4:aktivity
P(GA202/07/0525), Z(AV0Z10100521)
n4:dodaniDat
n11:2009
n4:domaciTvurceVysledku
n12:8935688 n12:7946279 n12:3075001 n12:7422148
n4:druhVysledku
n7:D
n4:duvernostUdaju
n13:S
n4:entitaPredkladatele
n15:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
373025
n4:idVysledku
RIV/68378271:_____/08:00320707
n4:jazykVysledku
n21:eng
n4:klicovaSlova
silicon; p-n junction; deep levels; DLTS
n4:klicoveSlovo
n8:DLTS n8:deep%20levels n8:p-n%20junction n8:silicon
n4:kontrolniKodProRIV
[DDA6FC2E38C3]
n4:mistoKonaniAkce
Smolenice Castle
n4:mistoVydani
Piscataway, N.J
n4:nazevZdroje
ASDAM 2008
n4:obor
n18:BM
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
4
n4:pocetTvurcuVysledku
4
n4:projekt
n9:GA202%2F07%2F0525
n4:rokUplatneniVysledku
n11:2008
n4:tvurceVysledku
Mareš, Jiří J. Krištofik, Jozef Hubík, Pavel Kindl, Dobroslav
n4:typAkce
n5:WRD
n4:zahajeniAkce
2008-10-12+02:00
n4:zamer
n17:AV0Z10100521
s:numberOfPages
4
n20:hasPublisher
IEEE Operation Center
n19:isbn
978-1-4244-2325-5