This HTML5 document contains 58 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00318588%21RIV09-AV0-68378271/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n4http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00318588%21RIV09-AV0-68378271
rdf:type
skos:Concept n16:Vysledek
dcterms:description
We have studied the effect of GaAs capping layer growth rate on the quantum dot (QD) properties. It was found that higher growth rate of capping layer decreases the dissolution of In atoms from QDs. We have studied the effect of GaAs capping layer growth rate on the quantum dot (QD) properties. It was found that higher growth rate of capping layer decreases the dissolution of In atoms from QDs. Studovali jsme efekt rychlosti růstu GaAs krycí vrstvy na vlastnosti kvantových teček (QD). Vyšší rychlost růstu snižuje rozpouštění In atomů z QD .
dcterms:title
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots Vliv krycí vrstvy na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček připravených technologií MOVPE Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
skos:prefLabel
Vliv krycí vrstvy na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček připravených technologií MOVPE Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
skos:notation
RIV/68378271:_____/08:00318588!RIV09-AV0-68378271
n3:aktivita
n10:P n10:Z
n3:aktivity
P(GA202/06/0718), P(IAA100100719), Z(AV0Z10100521)
n3:cisloPeriodika
23
n3:dodaniDat
n4:2009
n3:domaciTvurceVysledku
n11:7369123 n11:3860701 n11:4653416 n11:7895585 n11:6777430 n11:6156142 n11:4824040 n11:7698542
n3:druhVysledku
n5:J
n3:duvernostUdaju
n14:S
n3:entitaPredkladatele
n13:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
372053
n3:idVysledku
RIV/68378271:_____/08:00318588
n3:jazykVysledku
n18:eng
n3:klicovaSlova
atomic force microscopy; nanostructures; low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; semiconducting III–V materials
n3:klicoveSlovo
n6:nanostructures n6:semiconducting%20III%E2%80%93V%20materials n6:low-pressure%20metalorganic%20vapor%20phase%20epitaxy n6:atomic%20force%20microscopy
n3:kodStatuVydavatele
NL - Nizozemsko
n3:kontrolniKodProRIV
[47268277396D]
n3:nazevZdroje
Journal of Crystal Growth
n3:obor
n15:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
8
n3:pocetTvurcuVysledku
8
n3:projekt
n8:IAA100100719 n8:GA202%2F06%2F0718
n3:rokUplatneniVysledku
n4:2008
n3:svazekPeriodika
310
n3:tvurceVysledku
Vyskočil, Jan Hulicius, Eduard Oswald, Jiří Šimeček, Tomislav Melichar, Karel Hospodková, Alice Pangrác, Jiří Kuldová, Karla
n3:wos
000262019400090
n3:zamer
n17:AV0Z10100521
s:issn
0022-0248
s:numberOfPages
4