This HTML5 document contains 60 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00085159%21RIV08-AV0-68378271/
n8http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00085159%21RIV08-AV0-68378271
rdf:type
n3:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
We studied photoluminescence of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs strain reducing layer (SRL). These structures show strong red shift of photoluminescence maxima with increased In content in SRL Studovali jsme fotoluminiscenci InAs/GaAs kvantových teček zakrytých InGaAs vrstvou redukující pnutí (SRL). Tyto struktury vykazují silný červený posun maxima fotoluminiscence se vzrůstajícím obsahem In ve SRL We studied photoluminescence of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs strain reducing layer (SRL). These structures show strong red shift of photoluminescence maxima with increased In content in SRL
dcterms:title
Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček přerůstaných InGaAs připravených pomocí MOVPE Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs
skos:prefLabel
Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček přerůstaných InGaAs připravených pomocí MOVPE Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs
skos:notation
RIV/68378271:_____/07:00085159!RIV08-AV0-68378271
n4:strany
582;858
n4:aktivita
n13:P n13:Z
n4:aktivity
P(GA202/06/0718), P(KJB101630601), P(LC06040), P(LC510), Z(AV0Z10100521)
n4:cisloPeriodika
-
n4:dodaniDat
n8:2008
n4:domaciTvurceVysledku
n5:8470847 n5:4653416 n5:7895585 n5:7369123 n5:6777430 n5:6156142 n5:3860701 n5:4824040
n4:druhVysledku
n14:J
n4:duvernostUdaju
n16:S
n4:entitaPredkladatele
n11:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
445420
n4:idVysledku
RIV/68378271:_____/07:00085159
n4:jazykVysledku
n6:eng
n4:klicovaSlova
nanostructures; metalorganic vapor phase epitaxy; arsenides; semiconducting III-V materials
n4:klicoveSlovo
n10:arsenides n10:metalorganic%20vapor%20phase%20epitaxy n10:nanostructures n10:semiconducting%20III-V%20materials
n4:kodStatuVydavatele
NL - Nizozemsko
n4:kontrolniKodProRIV
[6C8A4524F40F]
n4:nazevZdroje
Journal of Crystal Growth
n4:obor
n18:BM
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
8
n4:pocetTvurcuVysledku
8
n4:projekt
n7:LC510 n7:GA202%2F06%2F0718 n7:LC06040 n7:KJB101630601
n4:rokUplatneniVysledku
n8:2007
n4:svazekPeriodika
298
n4:tvurceVysledku
Mates, Tomáš Melichar, Karel Hulicius, Eduard Hospodková, Alice Oswald, Jiří Pangrác, Jiří Kuldová, Karla Šimeček, Tomislav
n4:zamer
n17:AV0Z10100521
s:issn
0022-0248
s:numberOfPages
4