This HTML5 document contains 55 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00078520%21RIV07-GA0-68378271/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n11http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00078520%21RIV07-GA0-68378271
rdf:type
n17:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
V článku je popsán velký posun luminiscence k delším vlnovým délkám (od 1.25 m do 1.45 m) za pokojové teploty pro jednovrstvou strukturu kvantových teček přikrytých InxGa1-xAs vrstvou redukující napětí ve struktuře při vzrůstající koncentraci In (od 0 % do 29 %). Příslušné přechody byly studovány v magnetickém poli a při různém excitačním výkonu a srovnány s výpočty pomocí jednoduchého modelu jednočásticové efektivní hmotnosti s proměnnou energií A strong red shift from 1.25 m to 1.45 m of room temperature photoluminescence maxima of single quantum dot layer structures covered by InxGa1-xAs strain reducing layer when increased In content (from 0 % to 29 %) is observed. The origin of the observed transitions has been explained using magnetophotoluminescence measurements and photoluminescence measurements for different pumping intensities at low temperature. Optical transition energies were calculated using a simple single-band effective mass model with energy-dependent effective mass. Comparing the calculated and measured energies, we can determine the thickness of the wetting layer and the sizes of the dots A strong red shift from 1.25 m to 1.45 m of room temperature photoluminescence maxima of single quantum dot layer structures covered by InxGa1-xAs strain reducing layer when increased In content (from 0 % to 29 %) is observed. The origin of the observed transitions has been explained using magnetophotoluminescence measurements and photoluminescence measurements for different pumping intensities at low temperature. Optical transition energies were calculated using a simple single-band effective mass model with energy-dependent effective mass. Comparing the calculated and measured energies, we can determine the thickness of the wetting layer and the sizes of the dots
dcterms:title
1.3 m emission from InAs/GaAs quantum dots 1.3 m emission from InAs/GaAs quantum dots 1.3 m emise InAs/GaAs kvantových teček
skos:prefLabel
1.3 m emission from InAs/GaAs quantum dots 1.3 m emise InAs/GaAs kvantových teček 1.3 m emission from InAs/GaAs quantum dots
skos:notation
RIV/68378271:_____/06:00078520!RIV07-GA0-68378271
n3:strany
3811;3814
n3:aktivita
n4:P
n3:aktivity
P(GA202/05/0242), P(GA202/06/0718)
n3:cisloPeriodika
11
n3:dodaniDat
n11:2007
n3:domaciTvurceVysledku
n8:3860701 n8:7895585 n8:7369123 n8:4824040 n8:6156142 n8:4653416
n3:druhVysledku
n5:J
n3:duvernostUdaju
n10:S
n3:entitaPredkladatele
n13:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
510552
n3:idVysledku
RIV/68378271:_____/06:00078520
n3:jazykVysledku
n15:eng
n3:klicovaSlova
nanostructures; metalorganic vapor phase epitaxy; arsenides; semiconducting III–V materials
n3:klicoveSlovo
n9:metalorganic%20vapor%20phase%20epitaxy n9:nanostructures n9:semiconducting%20III%E2%80%93V%20materials n9:arsenides
n3:kodStatuVydavatele
DE - Spolková republika Německo
n3:kontrolniKodProRIV
[DF14A07E390D]
n3:nazevZdroje
Physica Status Solidi C: conferences and critical reviews
n3:obor
n14:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
6
n3:pocetTvurcuVysledku
9
n3:projekt
n6:GA202%2F06%2F0718 n6:GA202%2F05%2F0242
n3:rokUplatneniVysledku
n11:2006
n3:svazekPeriodika
3
n3:tvurceVysledku
Potemski, M. Humlíček, J. Hospodková, Alice Křápek, V. Kuldová, Karla Pangrác, Jiří Melichar, Karel Oswald, Jiří Hulicius, Eduard
s:issn
1610-1634
s:numberOfPages
4