This HTML5 document contains 56 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00078520%21RIV07-AV0-68378271/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n5http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00078520%21RIV07-AV0-68378271
rdf:type
n9:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
V článku je popsán velký posun luminiscence k delším vlnovým délkám (od 1.25 m do 1.45 m) za pokojové teploty pro jednovrstvou strukturu kvantových teček přikrytých InxGa1-xAs vrstvou redukující napětí ve struktuře při vzrůstající koncentraci In (od 0 % do 29 %). Příslušné přechody byly studovány v magnetickém poli a při různém excitačním výkonu a srovnány s výpočty pomocí jednoduchého modelu jednočásticové efektivní hmotnosti s proměnnou energií A strong red shift from 1.25 m to 1.45 m of room temperature photoluminescence maxima of single quantum dot layer structures covered by InxGa1-xAs strain reducing layer when increased In content (from 0 % to 29 %) is observed. The origin of the observed transitions has been explained using magnetophotoluminescence measurements and photoluminescence measurements for different pumping intensities at low temperature. Optical transition energies were calculated using a simple single-band effective mass model with energy-dependent effective mass. Comparing the calculated and measured energies, we can determine the thickness of the wetting layer and the sizes of the dots A strong red shift from 1.25 m to 1.45 m of room temperature photoluminescence maxima of single quantum dot layer structures covered by InxGa1-xAs strain reducing layer when increased In content (from 0 % to 29 %) is observed. The origin of the observed transitions has been explained using magnetophotoluminescence measurements and photoluminescence measurements for different pumping intensities at low temperature. Optical transition energies were calculated using a simple single-band effective mass model with energy-dependent effective mass. Comparing the calculated and measured energies, we can determine the thickness of the wetting layer and the sizes of the dots
dcterms:title
1.3 μm emission from InAs/GaAs quantum dots 1.3 μm emission from InAs/GaAs quantum dots 1.3 μm emise InAs/GaAs kvantových teček
skos:prefLabel
1.3 μm emise InAs/GaAs kvantových teček 1.3 μm emission from InAs/GaAs quantum dots 1.3 μm emission from InAs/GaAs quantum dots
skos:notation
RIV/68378271:_____/06:00078520!RIV07-AV0-68378271
n3:strany
3811;3814
n3:aktivita
n15:Z n15:P
n3:aktivity
P(KJB101630601), Z(AV0Z10100521)
n3:cisloPeriodika
11
n3:dodaniDat
n5:2007
n3:domaciTvurceVysledku
n8:4824040 n8:6156142 n8:7369123 n8:3860701 n8:7895585 n8:4653416
n3:druhVysledku
n16:J
n3:duvernostUdaju
n12:S
n3:entitaPredkladatele
n6:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
510553
n3:idVysledku
RIV/68378271:_____/06:00078520
n3:jazykVysledku
n17:eng
n3:klicovaSlova
nanostructures; metalorganic vapor phase epitaxy; arsenides; semiconducting III–V materials
n3:klicoveSlovo
n7:semiconducting%20III%E2%80%93V%20materials n7:metalorganic%20vapor%20phase%20epitaxy n7:arsenides n7:nanostructures
n3:kodStatuVydavatele
DE - Spolková republika Německo
n3:kontrolniKodProRIV
[7117762CCB04]
n3:nazevZdroje
Physica Status Solidi C: conferences and critical reviews
n3:obor
n18:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
6
n3:pocetTvurcuVysledku
9
n3:projekt
n13:KJB101630601
n3:rokUplatneniVysledku
n5:2006
n3:svazekPeriodika
3
n3:tvurceVysledku
Hospodková, Alice Kuldová, Karla Hulicius, Eduard Pangrác, Jiří Melichar, Karel Oswald, Jiří Humlíček, J. Křápek, V. Potemski, M.
n3:zamer
n14:AV0Z10100521
s:issn
1610-1634
s:numberOfPages
4