This HTML5 document contains 58 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00054548%21RIV07-AV0-68378271/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n12http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00054548%21RIV07-AV0-68378271
rdf:type
skos:Concept n16:Vysledek
dcterms:description
Due to the development and growing demends for inplantation techniques, the laser plasma as a source of multiply charged ions been investigated. This experiment concerned the characterization and optimization of laser produced Ge ion fluxes as well as the analysis of the direct implantation of these ions into SiO2 films prepared on the surface of a Si single crystal in the bulk profiles of Ge ion implantation with maximum depth of similar to 450 nm Due to the development and growing demends for inplantation techniques, the laser plasma as a source of multiply charged ions been investigated. This experiment concerned the characterization and optimization of laser produced Ge ion fluxes as well as the analysis of the direct implantation of these ions into SiO2 films prepared on the surface of a Si single crystal in the bulk profiles of Ge ion implantation with maximum depth of similar to 450 nm Vzhledem k vývoji a rostoucím požadavkům na implantační techniky bylo zkoumáno laserové plazma jako zdroj vícenásobných iontů. Experimenty zahrnují stanovení charakteristik a optimalizaci toku laserem produkovaných Ge iontů a analysy přímé implantace těchto iontů do SiO2 vrstev na povrchu Si krystalu|. Objemový profil implantovaných Ge iontů má maximální hloubku 450 nm
dcterms:title
Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates Přímá implantace Ge iontů, produkovaných laserovými pulsy o velké energii a nízké intensitě, do SiO2 vrstev na Si podložkách
skos:prefLabel
Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates Přímá implantace Ge iontů, produkovaných laserovými pulsy o velké energii a nízké intensitě, do SiO2 vrstev na Si podložkách Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates
skos:notation
RIV/68378271:_____/06:00054548!RIV07-AV0-68378271
n3:strany
148;181
n3:aktivita
n17:P n17:Z
n3:aktivity
P(LC528), Z(AV0Z10100523), Z(AV0Z20430508)
n3:cisloPeriodika
-
n3:dodaniDat
n12:2007
n3:domaciTvurceVysledku
n10:9047883 n10:9436103 n10:3479021 n10:2765640
n3:druhVysledku
n14:J
n3:duvernostUdaju
n8:S
n3:entitaPredkladatele
n6:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
471822
n3:idVysledku
RIV/68378271:_____/06:00054548
n3:jazykVysledku
n13:eng
n3:klicovaSlova
laser plasma; Ge ions; ion implantation
n3:klicoveSlovo
n15:laser%20plasma n15:Ge%20ions n15:ion%20implantation
n3:kodStatuVydavatele
SE - Švédské království
n3:kontrolniKodProRIV
[F96EC30AAFD1]
n3:nazevZdroje
Physica Scripta
n3:obor
n18:BH
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
4
n3:pocetTvurcuVysledku
13
n3:projekt
n11:LC528
n3:rokUplatneniVysledku
n12:2006
n3:svazekPeriodika
T123
n3:tvurceVysledku
Láska, Leoš Gammino, S. Rosinski, J. M. Rohlena, Karel Pfeifer, Miroslav Boody, F. P. Wolowski, J. Torrisi, L. Krása, Josef Parys, P. Mezzasalma, A. Ullschmied, Jiří Badziak, J.
n3:zamer
n7:AV0Z10100523 n7:AV0Z20430508
s:issn
0031-8949
s:numberOfPages
4