This HTML5 document contains 54 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n17http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n21http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00043491%21RIV07-AV0-68378271/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
n3https://schema.org/
shttp://schema.org/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n14http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00043491%21RIV07-AV0-68378271
rdf:type
skos:Concept n19:Vysledek
dcterms:description
Heterostructures SiC/AlGaN/GaN were investigated by the DLTS Metod in order to correlate activation energie of deep levels with AlGaN layer composition and 4H-SiC substráte orientation. Heterostruktury SiC/AlGaN/GaN byly zkoumány metodou DLTS s cílem najít souvislost mezi aktivační energií hlubokých hladin a složením vrstvy AlGaN, případně orientací substrátu 4H-SiC Heterostructures SiC/AlGaN/GaN were investigated by the DLTS Metod in order to correlate activation energie of deep levels with AlGaN layer composition and 4H-SiC substráte orientation.
dcterms:title
Deep defects in MOVPE grown SiC/AlGaN/GaN heterostructures Deep defects in MOVPE grown SiC/AlGaN/GaN heterostructures Hluboké defekty v heterostrukturách SiC/AlGaN/GaN připravených metodou MOVPE
skos:prefLabel
Hluboké defekty v heterostrukturách SiC/AlGaN/GaN připravených metodou MOVPE Deep defects in MOVPE grown SiC/AlGaN/GaN heterostructures Deep defects in MOVPE grown SiC/AlGaN/GaN heterostructures
skos:notation
RIV/68378271:_____/06:00043491!RIV07-AV0-68378271
n5:strany
51;54
n5:aktivita
n13:Z n13:P
n5:aktivity
P(IAA1010404), Z(AV0Z10100521)
n5:dodaniDat
n14:2007
n5:domaciTvurceVysledku
n6:9935754 n6:7422148 n6:7946279 n6:3075001 n6:8935688
n5:druhVysledku
n20:D
n5:duvernostUdaju
n12:S
n5:entitaPredkladatele
n21:predkladatel
n5:idSjednocenehoVysledku
470592
n5:idVysledku
RIV/68378271:_____/06:00043491
n5:jazykVysledku
n15:eng
n5:klicovaSlova
deep levels; nitride layers; 4H-SiC
n5:klicoveSlovo
n9:4H-SiC n9:nitride%20layers n9:deep%20levels
n5:kontrolniKodProRIV
[D6994FCDD615]
n5:mistoKonaniAkce
Smolenice Castle
n5:mistoVydani
Danvers, MA
n5:nazevZdroje
ASDAM´06
n5:obor
n7:BM
n5:pocetDomacichTvurcuVysledku
5
n5:pocetTvurcuVysledku
7
n5:projekt
n18:IAA1010404
n5:rokUplatneniVysledku
n14:2006
n5:tvurceVysledku
Boeykens, S. Výborný, Zdeněk Krištofik, Jozef Hubík, Pavel Leys, M. R. Kindl, Dobroslav Mareš, Jiří J.
n5:typAkce
n11:WRD
n5:zahajeniAkce
2006-10-16+02:00
n5:zamer
n16:AV0Z10100521
s:numberOfPages
4
n17:hasPublisher
IEEE
n3:isbn
1-4244-0396-0