This HTML5 document contains 45 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00041115%21RIV07-AV0-68378271/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n15http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00041115%21RIV07-AV0-68378271
rdf:type
skos:Concept n11:Vysledek
dcterms:description
Ion-sensitive field effect transistors fabricated on intrinsic hydrogen-terminated diamond films exhibit pronounced pH sensitivity (-56 mV/pH). Conductivity of the transistor channel decreases with increasing pH, in agreement with transfer doping model. Ion-sensitive field effect transistors fabricated on intrinsic hydrogen-terminated diamond films exhibit pronounced pH sensitivity (-56 mV/pH). Conductivity of the transistor channel decreases with increasing pH, in agreement with transfer doping model. Polní transistory (ISFET) vytvořené na vodíkem zakončených intrinsických diamantových vrstvách vykazují značnou citlivost na pH (-56 mV/pH). Vodivost transistorového kanálu klesá s rostoucím pH, v souladu s modelem přenosového dopování.
dcterms:title
Iontově citlivé polní transistory na hydrogenovaném diamantu Ion-sensitive field effect transistor on hydrogenated diamond Ion-sensitive field effect transistor on hydrogenated diamond
skos:prefLabel
Iontově citlivé polní transistory na hydrogenovaném diamantu Ion-sensitive field effect transistor on hydrogenated diamond Ion-sensitive field effect transistor on hydrogenated diamond
skos:notation
RIV/68378271:_____/06:00041115!RIV07-AV0-68378271
n3:strany
673;677
n3:aktivita
n12:Z
n3:aktivity
Z(AV0Z10100521)
n3:cisloPeriodika
-
n3:dodaniDat
n15:2007
n3:domaciTvurceVysledku
n13:9994602
n3:druhVysledku
n14:J
n3:duvernostUdaju
n8:S
n3:entitaPredkladatele
n17:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
480424
n3:idVysledku
RIV/68378271:_____/06:00041115
n3:jazykVysledku
n16:eng
n3:klicovaSlova
diamond film; characterization; surface electronic properties; sensors
n3:klicoveSlovo
n7:diamond%20film n7:surface%20electronic%20properties n7:characterization n7:sensors
n3:kodStatuVydavatele
CH - Švýcarská konfederace
n3:kontrolniKodProRIV
[23CF4C289F5B]
n3:nazevZdroje
Diamond and Related Materials
n3:obor
n9:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n3:pocetTvurcuVysledku
5
n3:rokUplatneniVysledku
n15:2006
n3:svazekPeriodika
15
n3:tvurceVysledku
Yamamoto, T. Shin, D. Watanabe, H. Rezek, Bohuslav Nebel, C. E.
n3:zamer
n10:AV0Z10100521
s:issn
0925-9635
s:numberOfPages
5