This HTML5 document contains 57 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00032108%21RIV06-AV0-68378271/
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n10http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00032108%21RIV06-AV0-68378271
rdf:type
n3:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
Je popsána modifikace polovodičových materiálů Si a SiO2 pomocí proudu iontů Ge generovaných laserem. Ge ionty byly generovány pomocí různých laserů a různé iontové diagnostiky byly použity k optimalizaci procesu. The modification of semiconductors materials as Si and SiO2 by laser-generated Ge ion streams is described. Ge ions were produced by different lasers, and various ion diagnostics were used to optimize the process The modification of semiconductors materials as Si and SiO2 by laser-generated Ge ion streams is described. Ge ions were produced by different lasers, and various ion diagnostics were used to optimize the process
dcterms:title
Characteristics of laser-produced Ge ion streams used for modification of semiconductor materials Charakteristiky proudu laserem produkovaných Ge iontů užívaných pro modifikaci polovodičových materiálů Characteristics of laser-produced Ge ion streams used for modification of semiconductor materials
skos:prefLabel
Characteristics of laser-produced Ge ion streams used for modification of semiconductor materials Charakteristiky proudu laserem produkovaných Ge iontů užívaných pro modifikaci polovodičových materiálů Characteristics of laser-produced Ge ion streams used for modification of semiconductor materials
skos:notation
RIV/68378271:_____/05:00032108!RIV06-AV0-68378271
n5:strany
477;482
n5:aktivita
n7:Z n7:P
n5:aktivity
P(IAA1010405), P(LC528), Z(AV0Z10100523)
n5:cisloPeriodika
10-12
n5:dodaniDat
n10:2006
n5:domaciTvurceVysledku
n13:9436103 n13:9047883 n13:3479021
n5:druhVysledku
n14:J
n5:duvernostUdaju
n6:S
n5:entitaPredkladatele
n17:predkladatel
n5:idSjednocenehoVysledku
514993
n5:idVysledku
RIV/68378271:_____/05:00032108
n5:jazykVysledku
n15:eng
n5:klicovaSlova
laser ablation; ion implantation; Ge implant in Si
n5:klicoveSlovo
n9:ion%20implantation n9:Ge%20implant%20in%20Si n9:laser%20ablation
n5:kodStatuVydavatele
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
n5:kontrolniKodProRIV
[41ED4E34E106]
n5:nazevZdroje
Radiation Effects and Defects in Solids
n5:obor
n8:BH
n5:pocetDomacichTvurcuVysledku
3
n5:pocetTvurcuVysledku
13
n5:projekt
n18:IAA1010405 n18:LC528
n5:rokUplatneniVysledku
n10:2005
n5:svazekPeriodika
160
n5:tvurceVysledku
Wolowski, J. Torrisi, L. Ullschmied, Jiří Mezzasalma, A. Parys, P. Rosinski, M. Rohlena, Karel Láska, Leoš Krása, Josef Badziak, J. Boody, F. P. Gammino, S. Czarnecka, A.
n5:zamer
n16:AV0Z10100523
s:issn
1042-0150
s:numberOfPages
6