This HTML5 document contains 54 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00030201%21RIV06-AV0-68378271/
n12http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00030201%21RIV06-AV0-68378271
rdf:type
skos:Concept n16:Vysledek
dcterms:description
The Ti-C:H films have been prepared by reactive pulsed and continuous DC magnetron sputtering of the Ti target in a gas mixture of Ar and CH4. For continuous sputtering, the discharge power was 300, 950 and 2850 W. At pulsed sputtering, the average discharge power was about 950 W in most depositions, while pulse power was varied from 2850 to 13000 W. The composition of the obtained films depended very strongly on the power for continuous discharge and only slightly on the pulse power at constant average power. In the latter case the film composition depended on pulse duration, CH4/Ar ratio and, in general, did not coincide with that obtained by continuous sputtering at the same power The Ti-C:H films have been prepared by reactive pulsed and continuous DC magnetron sputtering of the Ti target in a gas mixture of Ar and CH4. For continuous sputtering, the discharge power was 300, 950 and 2850 W. At pulsed sputtering, the average discharge power was about 950 W in most depositions, while pulse power was varied from 2850 to 13000 W. The composition of the obtained films depended very strongly on the power for continuous discharge and only slightly on the pulse power at constant average power. In the latter case the film composition depended on pulse duration, CH4/Ar ratio and, in general, did not coincide with that obtained by continuous sputtering at the same power Pulzním a kontinuálním stejnosměrným magnetronovým odprašováním z Ti targetu ve směsi Ar a CH4 byly připraveny filmy Ti-C:H. Stejnosměrný výkon výboje byl 300, 950 a 2850 W pro kontinuální naprašování. Pro většinu pulzních depozic byl střední výkon 950 W; výkon v pulzu se měnil od 2850 do 13000 W. Složení filmů značně záviselo na kontinuálním výkonu, ale jen mírně na výkonu pulzu při konstantním středním výkonu – v tomto případě složení záviselo na délce pulzu a poměru CH4/Ar; obecně složení filmů nesouhlasí s odpovídajícími filmy připravenými kontinuálním naprašováním při témž výkonu
dcterms:title
Composition of Ti-C:H films obtained by pulsed and continuous magnetron sputtering Složení Ti-C:H filmů připravených pulzním a kontinuálním magnetronovým naprašováním Composition of Ti-C:H films obtained by pulsed and continuous magnetron sputtering
skos:prefLabel
Složení Ti-C:H filmů připravených pulzním a kontinuálním magnetronovým naprašováním Composition of Ti-C:H films obtained by pulsed and continuous magnetron sputtering Composition of Ti-C:H films obtained by pulsed and continuous magnetron sputtering
skos:notation
RIV/68378271:_____/05:00030201!RIV06-AV0-68378271
n4:strany
620;624
n4:aktivita
n8:P n8:Z
n4:aktivity
P(GA202/02/0216), P(LN00A015), Z(AV0Z10100520)
n4:cisloPeriodika
1-4
n4:dodaniDat
n12:2006
n4:domaciTvurceVysledku
n10:2296268 n10:5193222 n10:5585457 n10:6658776 n10:7157401
n4:druhVysledku
n5:J
n4:duvernostUdaju
n14:S
n4:entitaPredkladatele
n13:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
516034
n4:idVysledku
RIV/68378271:_____/05:00030201
n4:jazykVysledku
n18:eng
n4:klicovaSlova
reactive sputtering; pulsed magnetron sputtering; pulse power; average power; film composition
n4:klicoveSlovo
n7:reactive%20sputtering n7:pulsed%20magnetron%20sputtering n7:film%20composition n7:average%20power n7:pulse%20power
n4:kodStatuVydavatele
CH - Švýcarská konfederace
n4:kontrolniKodProRIV
[0AC1E751B65D]
n4:nazevZdroje
Surface and Coatings Technology
n4:obor
n15:BM
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
5
n4:pocetTvurcuVysledku
6
n4:projekt
n6:LN00A015 n6:GA202%2F02%2F0216
n4:rokUplatneniVysledku
n12:2005
n4:svazekPeriodika
200
n4:tvurceVysledku
Kuzmichev, A. Kulykovskyy, Valeriy Jastrabík, Lubomír Boháč, Petr Hubička, Zdeněk Jurek, Karel
n4:zamer
n17:AV0Z10100520
s:issn
0257-8972
s:numberOfPages
5