This HTML5 document contains 53 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00101821%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA02005%2FN/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n8http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00101821%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA02005%2FN
rdf:type
skos:Concept n17:Vysledek
dcterms:description
Lateral conductivity effects have been jnvestigated in self-organised InAs quantum dot structures grown in a GaAs matrix with different cap layers by current-voltage, capacitance-voltage, DLTS, capacitance and conductance frequency dependence, fast defect transient and electron beam induced conductivity measurements. The capacitance transients are dominated by the local QD-plane transversal conductivity and by the free carrier transport in the cap layer Jevy laterální vodivosti v samoorganizovaných strukturách s kvantovými tečkami InAs připravenými v matrici GaAs s různými krycími vrstvami byly zkoumány pomocí měření závislostí proudu na napětí, kapacity na napětí, metody DLTS, závislostí kapacity a vodivosti na frekvenci a dále pomocí rychlých poruchových transientů a vodivosti indukované elektronovým svazkem. Kapacitní přechodové jevy jsou ovládány lokální příčnou vodivostí v rovině kvantových teček a transportem volných nosičů v krycí vrstvě Lateral conductivity effects have been jnvestigated in self-organised InAs quantum dot structures grown in a GaAs matrix with different cap layers by current-voltage, capacitance-voltage, DLTS, capacitance and conductance frequency dependence, fast defect transient and electron beam induced conductivity measurements. The capacitance transients are dominated by the local QD-plane transversal conductivity and by the free carrier transport in the cap layer
dcterms:title
Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures Laterální vodivost ve strukturách GaAs/InAs s kvantovými tečkami
skos:prefLabel
Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures Laterální vodivost ve strukturách GaAs/InAs s kvantovými tečkami Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures
skos:notation
RIV/68378271:_____/04:00101821!RIV/2005/AV0/A02005/N
n3:strany
93;95
n3:aktivita
n11:Z n11:P
n3:aktivity
P(GA202/03/0410), Z(AV0Z1010914)
n3:cisloPeriodika
-
n3:dodaniDat
n8:2005
n3:domaciTvurceVysledku
n10:8935688 n10:7946279 n10:3075001
n3:druhVysledku
n13:J
n3:duvernostUdaju
n6:S
n3:entitaPredkladatele
n15:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
571231
n3:idVysledku
RIV/68378271:_____/04:00101821
n3:jazykVysledku
n16:eng
n3:klicovaSlova
quantum dots; quantum wells; III-V semiconductors
n3:klicoveSlovo
n5:quantum%20wells n5:quantum%20dots n5:III-V%20semiconductors
n3:kodStatuVydavatele
FR - Francouzská republika
n3:kontrolniKodProRIV
[3982DE839208]
n3:nazevZdroje
European Physical Journal-Applied Physics
n3:obor
n12:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
3
n3:pocetTvurcuVysledku
10
n3:projekt
n18:GA202%2F03%2F0410
n3:rokUplatneniVysledku
n8:2004
n3:svazekPeriodika
27
n3:tvurceVysledku
Tóth, A. L. Mosca, R. Mareš, Jiří J. Frigeri, P. Hubík, Pavel Horváth, Z. J. Gombia, E. Dózsa, L. Krištofik, Jozef Franchi, S.
n3:zamer
n14:AV0Z1010914
s:issn
1286-0042
s:numberOfPages
3