This HTML5 document contains 61 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00100050%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA02005%2FN/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n16http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00100050%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA02005%2FN
rdf:type
n7:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
Current-voltage characteristics of GaSb p-n homojunctions prepared by MOVPE were measured in wide temperature range. It was shown that the charge transport is strongly affected by the growth rate of GaSb epitaxial layers Volt-ampérové charakteristiky homogenních přechodů v GaSb připravených metodou MOVPE byly měřeny v širokém oboru teplot. Ukázalo se, že přenos náboje je výrazně ovlivněn rychlostí růstu epitaxních vrstev GaSb Current-voltage characteristics of GaSb p-n homojunctions prepared by MOVPE were measured in wide temperature range. It was shown that the charge transport is strongly affected by the growth rate of GaSb epitaxial layers
dcterms:title
Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy Vliv rychlosti růstu na transport náboje v homogenních přechodech z GaSb připravených epitaxí z organokovů
skos:prefLabel
Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy Vliv rychlosti růstu na transport náboje v homogenních přechodech z GaSb připravených epitaxí z organokovů Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy
skos:notation
RIV/68378271:_____/04:00100050!RIV/2005/AV0/A02005/N
n3:strany
1811;1815
n3:aktivita
n9:Z n9:P
n3:aktivity
P(GA202/03/0410), P(IAA1010404), P(KSK1010104), Z(AV0Z1010914), Z(MSM 113200002)
n3:cisloPeriodika
4
n3:dodaniDat
n16:2005
n3:domaciTvurceVysledku
n6:6156142 n6:7946279 n6:7369123 n6:1014684 n6:8935688 n6:6777430 n6:7422148 n6:3075001
n3:druhVysledku
n14:J
n3:duvernostUdaju
n13:S
n3:entitaPredkladatele
n4:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
567882
n3:idVysledku
RIV/68378271:_____/04:00100050
n3:jazykVysledku
n15:eng
n3:klicovaSlova
GaSb; p-n homojunction; charge transport; native defects
n3:klicoveSlovo
n17:p-n%20homojunction n17:charge%20transport n17:native%20defects n17:GaSb
n3:kodStatuVydavatele
US - Spojené státy americké
n3:kontrolniKodProRIV
[12523EA027AD]
n3:nazevZdroje
Journal of Applied Physics
n3:obor
n18:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
8
n3:pocetTvurcuVysledku
9
n3:projekt
n12:KSK1010104 n12:IAA1010404 n12:GA202%2F03%2F0410
n3:rokUplatneniVysledku
n16:2004
n3:svazekPeriodika
95
n3:tvurceVysledku
Jurka, Vlastimil Hubík, Pavel Hulicius, Eduard Toušková, J. Mareš, Jiří J. Kindl, Dobroslav Krištofik, Jozef Šimeček, Tomislav Pangrác, Jiří
n3:zamer
n8:MSM%20113200002 n8:AV0Z1010914
s:issn
0021-8979
s:numberOfPages
5