This HTML5 document contains 46 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n10http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68378271%3A_____%2F03%3A00100041%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA02005%2FN/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n19http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68378271%3A_____%2F03%3A00100041%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA02005%2FN
rdf:type
skos:Concept n16:Vysledek
dcterms:description
Příspěvek obsahuje elektroluminiscenční, fotoabsorpční a polarizační vlastnosti polovodičových laserů s tenkými napjatými vrstvami InAs v GaAs při zvýšených teplotách (nad 25o C). Tyto lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízkou prahovou proudovou hustotu a široký obor pracovních teplot Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperature (above 25oC). The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperature (above 25oC). The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range
dcterms:title
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence Lasery s tenkými InAs vrstvami v GaAs - absorpce a elektroluminiscence
skos:prefLabel
Lasery s tenkými InAs vrstvami v GaAs - absorpce a elektroluminiscence Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence
skos:notation
RIV/68378271:_____/03:00100041!RIV/2005/AV0/A02005/N
n4:strany
EI20;EI21
n4:aktivita
n14:Z n14:P
n4:aktivity
P(IAA1010318), Z(AV0Z1010914)
n4:dodaniDat
n19:2005
n4:domaciTvurceVysledku
n18:3781607
n4:druhVysledku
n8:D
n4:duvernostUdaju
n15:S
n4:entitaPredkladatele
n20:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
613232
n4:idVysledku
RIV/68378271:_____/03:00100041
n4:jazykVysledku
n6:eng
n4:klicovaSlova
strained quantum well; InAs; GaAs; polarisation; electroluminescence; photoabsorption
n4:klicoveSlovo
n5:photoabsorption n5:strained%20quantum%20well n5:InAs n5:GaAs n5:electroluminescence n5:polarisation
n4:kontrolniKodProRIV
[208CF02C2162]
n4:mistoKonaniAkce
Praha
n4:mistoVydani
Praha
n4:nazevZdroje
Proceedings of the International Student Conference on Electrical Engineering
n4:obor
n11:BM
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n4:pocetTvurcuVysledku
1
n4:projekt
n13:IAA1010318
n4:rokUplatneniVysledku
n19:2003
n4:tvurceVysledku
Mačkal, Adam
n4:typAkce
n12:EUR
n4:zahajeniAkce
2003-05-22+02:00
n4:zamer
n17:AV0Z1010914
s:numberOfPages
2
n10:hasPublisher
České vysoké učení technické v Praze. Fakulta elektrotechnická