This HTML5 document contains 49 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68081731%3A_____%2F14%3A00429848%21RIV15-MSM-68081731/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n9http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68081731%3A_____%2F14%3A00429848%21RIV15-MSM-68081731
rdf:type
n6:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
This article deals with plasma etching of Si in a CF4/O2 mixture. This is a common way of Si etching used in micro- and nanofabrication. We determined important parameters such as etching rates and selectivity of Si and PMMA of the process. Experimental part was carried out on plasma system Diener nano. Jedním z klíčových procesů při výrobě mikro a nanostruktur je opracování povrchů různých materiálů. K opracování povrchu materiálu lze použít metod suchého leptání, jejichž rozvoj nastal s vyššími nároky na leptací techniky kvůli miniaturizaci v mikro a nanotechnologiích. Za jednu z nejpoužívanějších metod pro zápis mikroa nanostruktur ve výzkumu se v současnosti považuje elektronová litografie. K dalšímu zpracování vytvářených struktur se pak používá suché leptání využívající ionizovaného plynu (plazmatu). Techniky suchého leptání se rozdělují podle mechanismu na tři základní skupiny: chemické, fyzikální a chemicko-fyzikální. Z hlediska selektivity leptání se jako vhodný jeví první z uvedených mechanismů, založený na chemické reakci mezi částicemi, které vzniknou ionizací plynu (leptadla) a částicemi leptaného materiálu. Tento proces pak bývá označován jako plazmochemické leptání. Jedním z klíčových procesů při výrobě mikro a nanostruktur je opracování povrchů různých materiálů. K opracování povrchu materiálu lze použít metod suchého leptání, jejichž rozvoj nastal s vyššími nároky na leptací techniky kvůli miniaturizaci v mikro a nanotechnologiích. Za jednu z nejpoužívanějších metod pro zápis mikroa nanostruktur ve výzkumu se v současnosti považuje elektronová litografie. K dalšímu zpracování vytvářených struktur se pak používá suché leptání využívající ionizovaného plynu (plazmatu). Techniky suchého leptání se rozdělují podle mechanismu na tři základní skupiny: chemické, fyzikální a chemicko-fyzikální. Z hlediska selektivity leptání se jako vhodný jeví první z uvedených mechanismů, založený na chemické reakci mezi částicemi, které vzniknou ionizací plynu (leptadla) a částicemi leptaného materiálu. Tento proces pak bývá označován jako plazmochemické leptání.
dcterms:title
Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano Plasmochemical Etching of Silicon in Diener Nano Device
skos:prefLabel
Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano Plasmochemical Etching of Silicon in Diener Nano Device
skos:notation
RIV/68081731:_____/14:00429848!RIV15-MSM-68081731
n3:aktivita
n13:P
n3:aktivity
P(LO1212)
n3:cisloPeriodika
6
n3:dodaniDat
n9:2015
n3:domaciTvurceVysledku
n14:5422043 n14:8423350 n14:9640282 n14:3455599 n14:1259458
n3:druhVysledku
n12:J
n3:duvernostUdaju
n15:S
n3:entitaPredkladatele
n16:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
36859
n3:idVysledku
RIV/68081731:_____/14:00429848
n3:jazykVysledku
n17:cze
n3:klicovaSlova
plasmochemical etching; silicon; etching rate; selectivity
n3:klicoveSlovo
n4:etching%20rate n4:plasmochemical%20etching n4:silicon n4:selectivity
n3:kodStatuVydavatele
CZ - Česká republika
n3:kontrolniKodProRIV
[E05BE4D402E1]
n3:nazevZdroje
Chemické listy
n3:obor
n10:JA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
5
n3:pocetTvurcuVysledku
5
n3:projekt
n8:LO1212
n3:rokUplatneniVysledku
n9:2014
n3:svazekPeriodika
108
n3:tvurceVysledku
Kolařík, Vladimír Krátký, Stanislav Matějka, Milan Urbánek, Michal Horáček, Miroslav
n3:wos
000344828700006
s:issn
0009-2770
s:numberOfPages
4