This HTML5 document contains 50 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n7http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n21http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
n4https://schema.org/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F68081731%3A_____%2F06%3A00049011%21RIV07-AV0-68081731/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n14http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F68081731%3A_____%2F06%3A00049011%21RIV07-AV0-68081731
rdf:type
skos:Concept n20:Vysledek
dcterms:description
4) PEEM equipped with high-pass energy filter as a surface sensitive tool was used for characterization of electron-optical contrast between differently doped areas in silicon. The native-oxide covered samples of both p- and n-type with dopant concentrations of 1015 to 1019 cm-3 were observed. In full photoemission the contrast disappears when decreasing the dopant concentration, while in filtered images the inverted contrast is preserved for all dopant concentrations. The photothreshold difference between p- and n-type (indicated by the shift of the energy spectra) increases up to 0.2 eV at the highest concentrations. 4) PEEM equipped with high-pass energy filter as a surface sensitive tool was used for characterization of electron-optical contrast between differently doped areas in silicon. The native-oxide covered samples of both p- and n-type with dopant concentrations of 1015 to 1019 cm-3 were observed. In full photoemission the contrast disappears when decreasing the dopant concentration, while in filtered images the inverted contrast is preserved for all dopant concentrations. The photothreshold difference between p- and n-type (indicated by the shift of the energy spectra) increases up to 0.2 eV at the highest concentrations. Fotoemisní elektronový mikroskop vybavený filtrem typu horní propusti představuje povrchově citlivý nástroj, který posloužil ke studiu elektronově optického kontrastu mezi různě dopovanými oblastmi v křemíku. Vzorky byly pokryty nativním oxidem, jednalo se o p-typ a n-typ s koncentrací dopantů od 1015 to 1019 cm-3. Z naměřených dat vyplývá, že v nefiltrované fotoemisi kontrast postupně vymizí s klesající koncentrací dopantů, avšak ve filtrované fotoemisi dochází k inverzi kontrastu, který zůstává zachován i pro nejnižší koncentraci dopantů. Rozdíl v prahu fotoemise mezi p- a n-typem udává posun mezi příslušnými energiovými spektry a dosahuje hodnoty až 0.2 eV pro nejvyšší koncetraci dopantů.
dcterms:title
The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon Studium vlastností dopovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon
skos:prefLabel
The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon Studium vlastností dopovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru
skos:notation
RIV/68081731:_____/06:00049011!RIV07-AV0-68081731
n3:strany
25;28
n3:aktivita
n18:P n18:Z
n3:aktivity
P(GA202/04/0281), Z(AV0Z20650511)
n3:dodaniDat
n14:2007
n3:domaciTvurceVysledku
n12:9000984 n12:5981689
n3:druhVysledku
n11:D
n3:duvernostUdaju
n19:S
n3:entitaPredkladatele
n15:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
477703
n3:idVysledku
RIV/68081731:_____/06:00049011
n3:jazykVysledku
n10:eng
n3:klicovaSlova
silicon; photoemission; contrast
n3:klicoveSlovo
n13:contrast n13:silicon n13:photoemission
n3:kontrolniKodProRIV
[783F39D55305]
n3:mistoKonaniAkce
Skalský dvůr
n3:mistoVydani
Brno
n3:nazevZdroje
Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation
n3:obor
n16:JA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
2
n3:pocetTvurcuVysledku
6
n3:projekt
n8:GA202%2F04%2F0281
n3:rokUplatneniVysledku
n14:2006
n3:tvurceVysledku
Valdaitsev, D. Schönhense, G. Elmers, H. Hovorka, Miloš Frank, Luděk Nepijko, S.
n3:typAkce
n5:WRD
n3:zahajeniAkce
2006-05-22+02:00
n3:zamer
n21:AV0Z20650511
s:numberOfPages
4
n7:hasPublisher
Biologické centrum AV ČR. Ústav půdní biologie
n4:isbn
80-239-6285-X