This HTML5 document contains 44 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105980%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA13005%2FN/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n14http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105980%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA13005%2FN
rdf:type
skos:Concept n17:Vysledek
dcterms:description
Je prezentováno určení profilu volných nosičů v GaAs na zešikmeném povrchu.Zešikmení bylo připraveno chemickým leptáním.Výsledky jsou srovnány s elektrochemickou kapacitně -napěťovou metodou. Determination of free charge profiles of GaAs on a bevelled surface by PCIV is presented. The bevelled structure were prepared by chemical etching. The results are compared with the electrochemical capacitance-voltage technique. Determination of free charge profiles of GaAs on a bevelled surface by PCIV is presented. The bevelled structure were prepared by chemical etching. The results are compared with the electrochemical capacitance-voltage technique.
dcterms:title
Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method Určení profilu nosičů na zešikmené GaAs struktuře pomocí PCIV metody
skos:prefLabel
Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method Určení profilu nosičů na zešikmené GaAs struktuře pomocí PCIV metody Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method
skos:notation
RIV/67985882:_____/04:00105980!RIV/2005/AV0/A13005/N
n3:strany
261;264
n3:aktivita
n4:P
n3:aktivity
P(KSK1010104)
n3:cisloPeriodika
9-10
n3:dodaniDat
n14:2005
n3:domaciTvurceVysledku
n10:8338426
n3:druhVysledku
n15:J
n3:duvernostUdaju
n6:S
n3:entitaPredkladatele
n7:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
560056
n3:idVysledku
RIV/67985882:_____/04:00105980
n3:jazykVysledku
n16:eng
n3:klicovaSlova
impurity distribution
n3:klicoveSlovo
n12:impurity%20distribution
n3:kodStatuVydavatele
SK - Slovenská republika
n3:kontrolniKodProRIV
[DD63C7BB038D]
n3:nazevZdroje
Journal of Electrical Engineering
n3:obor
n13:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n3:pocetTvurcuVysledku
7
n3:projekt
n8:KSK1010104
n3:rokUplatneniVysledku
n14:2004
n3:svazekPeriodika
55
n3:tvurceVysledku
Walachová, Jarmila Tlaczala, M. Kinder, R. Radziewicz, D. Srnánek, R. Hulényi, L. Sciana, B.
s:issn
1335-3632
s:numberOfPages
4