This HTML5 document contains 45 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n20http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n17https://schema.org/
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105913%21RIV%2F2005%2FGA0%2FA13005%2FN/
shttp://schema.org/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n11http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105913%21RIV%2F2005%2FGA0%2FA13005%2FN
rdf:type
skos:Concept n16:Vysledek
dcterms:description
Applicability of the Burton-Cabrera-Frank model of crystal growth is limited in the case of LPE preparation of thick semiconductor layers due to volume diffusion of constituent atoms. This phenomenon can be accounted for by introducing negative growth-rate dependent correction to supersaturation. The resulting implicit nonlinear problem is solved using the technique of causal diagrams. Theoretical predictions are confronted with experimental data on the growth of thick InP and InP:Nd layers. Applicability of the Burton-Cabrera-Frank model of crystal growth is limited in the case of LPE preparation of thick semiconductor layers due to volume diffusion of constituent atoms. This phenomenon can be accounted for by introducing negative growth-rate dependent correction to supersaturation. The resulting implicit nonlinear problem is solved using the technique of causal diagrams. Theoretical predictions are confronted with experimental data on the growth of thick InP and InP:Nd layers. Použitelnost modelu růstu krystalů autorů Burtona, Cabrery a Franka je v případě LPE růstu tlustých polovodičových vrstev omezena objemovou difůzí atomů. Tento jev může být respektován zavedením záporné korekce k přesycení, která je funkcí rychlosti růstu. Výsledný implicitní nelineární problém je řešen pomocí metody kauzálních diagramů. Teoretické předpovědi jsou konfrontovány s experimentálními daty, vztahujícími se k růstu tlustých vrstev InP a InP:Nd.
dcterms:title
Growth kinetics of thick InP layers Kinetika růstu tlustých vrstev InP Growth kinetics of thick InP layers
skos:prefLabel
Kinetika růstu tlustých vrstev InP Growth kinetics of thick InP layers Growth kinetics of thick InP layers
skos:notation
RIV/67985882:_____/04:00105913!RIV/2005/GA0/A13005/N
n4:strany
65;69
n4:aktivita
n15:P
n4:aktivity
P(GA102/03/0379), P(KSK1010104)
n4:dodaniDat
n11:2005
n4:domaciTvurceVysledku
n13:2853620 n13:8716633
n4:druhVysledku
n9:D
n4:duvernostUdaju
n19:S
n4:entitaPredkladatele
n18:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
565823
n4:idVysledku
RIV/67985882:_____/04:00105913
n4:jazykVysledku
n12:eng
n4:klicovaSlova
epitaxial growth;epitaxial layers;nonlinear systems
n4:klicoveSlovo
n6:nonlinear%20systems n6:epitaxial%20growth n6:epitaxial%20layers
n4:kontrolniKodProRIV
[5FF1ECD7837C]
n4:mistoKonaniAkce
Smolenice
n4:mistoVydani
Piscataway
n4:nazevZdroje
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
n4:obor
n8:JA
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
2
n4:pocetTvurcuVysledku
2
n4:projekt
n5:KSK1010104 n5:GA102%2F03%2F0379
n4:rokUplatneniVysledku
n11:2004
n4:tvurceVysledku
Šrobár, Fedor Procházková, Olga
n4:typAkce
n14:WRD
n4:zahajeniAkce
2004-10-17+02:00
s:numberOfPages
4
n20:hasPublisher
IEEE
n17:isbn
0-7803-8535-7