This HTML5 document contains 45 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105875%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA13005%2FN/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n12http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105875%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA13005%2FN
rdf:type
n14:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
High purity InP crystals were grown by liquid encapsulated Czochralski method from undoped InP melt. Wafers from the grown crystals were annealed in phosphorus ambient for 95 hours at 950oC and cooled slowly. Conversion to semi-insulating state by annealing was studied by temperature dependent Hall measurements and low temperature optical absorption spectroscopy. InP krystaly vysoké čistoty byly vypěstovány metodou Czochralského s kapalným uzávěrem z nedopované taveniny InP. Destičky z vypěstovaných krystalů byly žíhány při 950o C po 95 hodin ve fosforové atmosféře a pomaly zchlazeny. Na to byla studována konverse do semiizolačního stavu teplotně závislým Hallovým měřením a nízkoteplotní optickou absorpční spektroskopií. High purity InP crystals were grown by liquid encapsulated Czochralski method from undoped InP melt. Wafers from the grown crystals were annealed in phosphorus ambient for 95 hours at 950oC and cooled slowly. Conversion to semi-insulating state by annealing was studied by temperature dependent Hall measurements and low temperature optical absorption spectroscopy.
dcterms:title
Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures Studium destiček fosfidu inditého upravených dlouhodobým žíháním při vysokých teplotách
skos:prefLabel
Studium destiček fosfidu inditého upravených dlouhodobým žíháním při vysokých teplotách Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures
skos:notation
RIV/67985882:_____/04:00105875!RIV/2005/AV0/A13005/N
n4:strany
197;200
n4:aktivita
n10:P n10:Z
n4:aktivity
P(IBS2067354), Z(AV0Z2067918), Z(MSM 113200002)
n4:cisloPeriodika
1/3
n4:dodaniDat
n12:2005
n4:domaciTvurceVysledku
n15:5077443
n4:druhVysledku
n8:J
n4:duvernostUdaju
n13:S
n4:entitaPredkladatele
n16:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
588793
n4:idVysledku
RIV/67985882:_____/04:00105875
n4:jazykVysledku
n17:eng
n4:klicovaSlova
Hall effect;deep levels;light absorption
n4:klicoveSlovo
n11:light%20absorption n11:deep%20levels n11:Hall%20effect
n4:kodStatuVydavatele
FR - Francouzská republika
n4:kontrolniKodProRIV
[8F15F8F49322]
n4:nazevZdroje
European Physical Journal
n4:obor
n7:JB
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n4:pocetTvurcuVysledku
3
n4:projekt
n18:IBS2067354
n4:rokUplatneniVysledku
n12:2004
n4:svazekPeriodika
27
n4:tvurceVysledku
Hlídek, P. Žďánský, Karel Pekárek, Ladislav
n4:zamer
n6:MSM%20113200002 n6:AV0Z2067918
s:issn
1286-0042
s:numberOfPages
4