This HTML5 document contains 48 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105854%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA13005%2FN/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n9http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105854%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA13005%2FN
rdf:type
n16:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
Deep level transient spectroscopy (DLTS) and capacitance-voltage (C-V) measurements have been made on AlGaAs/GaAs single quantum well (QW) laser diode structures. Si-related DX centres in the n-type AlGaAs layer adjacent to the QW have been observed by DLTS with reverse bias voltage and reduced bias pulse excitation. The DLTS peak of the DX centre is wiped out at zero bias and large injection pulse excitation and a new peak appears which is interpreted as being due to an electron trap inside the QW. Identification of the electron trap has been discussed. Laserové diodové struktury s jednou kvantovou jámou (QW) byly měřeny transientní spektroskopií (DLTS) a závislostmi kapacity na napětí (C-V). Pomocí DLTS s reversním přiloženým napětím a exitací redukčními pulsy byla pozorována DX centra od Si ve vrstvě AlGaAs typu n v souseddství QW. Vrchol DLTS od DX centra vymizí při nulovém předpětí a vysoké pulsní excitaci a objeví se nový vrchol, který je vyložen, jakožto způsobený elektronovou pastí uvnitř QW. Identifikace elektronové pasti je součástí diskuse. Deep level transient spectroscopy (DLTS) and capacitance-voltage (C-V) measurements have been made on AlGaAs/GaAs single quantum well (QW) laser diode structures. Si-related DX centres in the n-type AlGaAs layer adjacent to the QW have been observed by DLTS with reverse bias voltage and reduced bias pulse excitation. The DLTS peak of the DX centre is wiped out at zero bias and large injection pulse excitation and a new peak appears which is interpreted as being due to an electron trap inside the QW. Identification of the electron trap has been discussed.
dcterms:title
Deep level transient spectroscopy of AlxGa 1-x As/GaAs single-quantum-well lasers Lasery Al xGa 1-x /GaAs s jednou kvantovou jámou zkoumané transientní spektroskopií hlubokých hladin Deep level transient spectroscopy of AlxGa 1-x As/GaAs single-quantum-well lasers
skos:prefLabel
Lasery Al xGa 1-x /GaAs s jednou kvantovou jámou zkoumané transientní spektroskopií hlubokých hladin Deep level transient spectroscopy of AlxGa 1-x As/GaAs single-quantum-well lasers Deep level transient spectroscopy of AlxGa 1-x As/GaAs single-quantum-well lasers
skos:notation
RIV/67985882:_____/04:00105854!RIV/2005/AV0/A13005/N
n4:strany
897;901
n4:aktivita
n10:P
n4:aktivity
P(IBS2067354), P(KSK1010104)
n4:cisloPeriodika
7
n4:dodaniDat
n9:2005
n4:domaciTvurceVysledku
n6:7563442 n6:5077443 n6:9506365
n4:druhVysledku
n7:J
n4:duvernostUdaju
n17:S
n4:entitaPredkladatele
n12:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
559555
n4:idVysledku
RIV/67985882:_____/04:00105854
n4:jazykVysledku
n14:eng
n4:klicovaSlova
semiconductor quantum wells;nanostructured materials;deep levels
n4:klicoveSlovo
n5:semiconductor%20quantum%20wells n5:nanostructured%20materials n5:deep%20levels
n4:kodStatuVydavatele
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
n4:kontrolniKodProRIV
[3240572EAFBA]
n4:nazevZdroje
Semiconductor Science and Technology
n4:obor
n13:JB
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
3
n4:pocetTvurcuVysledku
6
n4:projekt
n15:IBS2067354 n15:KSK1010104
n4:rokUplatneniVysledku
n9:2004
n4:svazekPeriodika
19
n4:tvurceVysledku
Gorodynskyy, Vladyslav Fekete, D. Žďánský, Karel Kapon, E. Kosíková, Jitka Rudra, A.
s:issn
0268-1242
s:numberOfPages
5