This HTML5 document contains 48 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n17http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n14https://schema.org/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F67985882%3A_____%2F03%3A00105872%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA13005%2FN/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n8http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F67985882%3A_____%2F03%3A00105872%21RIV%2F2005%2FAV0%2FA13005%2FN
rdf:type
skos:Concept n19:Vysledek
dcterms:description
The characterization of InP (>10?m) layers prepared by LPE with Pr, Dy or Tb (REE) addition in the melt is reported. The conductivity has been changed from n to p type when REE exceeded certain concentration limit (0.15 wt per cent for Pr, 0.05 wt per cent for Tb and 0.03 for Dy). Comparison of PL peaks of n- and p- type conductivity laeyrs with obtained electrical data lead to conclusion that the dominant acceptor impurity for the n- and p-n type crossover is Ge for Pr addition and Mn for Tb and Dy addition. Práce se zabývá charakterizací vrstev InP (>10?m) připravených kapalnou epitaxí s příměsí Pr, Dy a Tb (REE) v růstové tavenině. Elektrická vodivost se měnila z typu n- na p- v případě, kdy koncentrace REE přesáhla jistý limit (0.15 wt% pro Pr, 0.05 wt% pro Tb a 0.03 wt% pro Dy). Porovnáním PL spekter s elektrickým měřením pro oba typy vrstev jsme došli k závěru, že změna typu vodivosti je způsobena Ge, jestliže jako příměs byl použit Pr. V případě, kdy jako příměsi bylo použito Tb nebo Dy, změnu vodivosti způsobuje Mn. The characterization of InP (>10?m) layers prepared by LPE with Pr, Dy or Tb (REE) addition in the melt is reported. The conductivity has been changed from n to p type when REE exceeded certain concentration limit (0.15 wt per cent for Pr, 0.05 wt per cent for Tb and 0.03 for Dy). Comparison of PL peaks of n- and p- type conductivity laeyrs with obtained electrical data lead to conclusion that the dominant acceptor impurity for the n- and p-n type crossover is Ge for Pr addition and Mn for Tb and Dy addition.
dcterms:title
Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy Vliv příměsi Pr, Dy a Tb na fyzikální vlastnosti vrstev InP připravených kapalnou epitaxí Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy
skos:prefLabel
Vliv příměsi Pr, Dy a Tb na fyzikální vlastnosti vrstev InP připravených kapalnou epitaxí Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy
skos:notation
RIV/67985882:_____/03:00105872!RIV/2005/AV0/A13005/N
n3:strany
950;955
n3:aktivita
n20:P
n3:aktivity
P(KSK1010104)
n3:dodaniDat
n8:2005
n3:domaciTvurceVysledku
n13:2853620 n13:2040980 n13:2267659 n13:5077443
n3:druhVysledku
n15:D
n3:duvernostUdaju
n7:S
n3:entitaPredkladatele
n18:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
602298
n3:idVysledku
RIV/67985882:_____/03:00105872
n3:jazykVysledku
n16:eng
n3:klicovaSlova
rare earth compounds;semiconductors;liqiud phase epitaxial growth
n3:klicoveSlovo
n11:rare%20earth%20compounds n11:liqiud%20phase%20epitaxial%20growth n11:semiconductors
n3:kontrolniKodProRIV
[D804F4EFD4AE]
n3:mistoKonaniAkce
Budapest
n3:mistoVydani
Weinheim
n3:nazevZdroje
Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002
n3:obor
n9:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
4
n3:pocetTvurcuVysledku
4
n3:projekt
n10:KSK1010104
n3:rokUplatneniVysledku
n8:2003
n3:tvurceVysledku
Grym, Jan Zavadil, Jiří Žďánský, Karel Procházková, Olga
n3:typAkce
n4:EUR
n3:zahajeniAkce
2002-05-26+02:00
s:numberOfPages
6
n17:hasPublisher
WileyVCH Verlag
n14:isbn
3-527-40436-8